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纳米级电路分辨率增强技术及可制造性设计研究

致谢第1-7页
摘要第7-9页
Abstract第9-18页
第1章 绪论第18-34页
   ·引言第18-19页
   ·集成电路生产过程其挑战第19-22页
   ·分辨率增强技术第22-28页
     ·移相掩模技术第23-25页
     ·离轴照明技术第25-27页
     ·散射条插入技术第27-28页
   ·可制造性设计第28-30页
   ·论文创新点及论文结构第30-32页
   ·本章小结第32-34页
第2章 相关分辨率增强技术及可制造性技术第34-48页
   ·引言第34页
   ·光学邻近校正技术第34-40页
     ·基于规则的光学邻近校正技术第34-36页
     ·基于模型的光学邻近校正技术第36-40页
     ·其他光学邻近校正技术第40页
   ·反向光刻技术第40-45页
     ·正向纯光学模型第41-43页
     ·正向光刻胶模型第43-44页
     ·反向光刻问题的数学描述第44-45页
   ·可制造性设计技术第45-46页
   ·本章小结第46-48页
第3章 改进后的光学邻近校正技术第48-78页
   ·引言第48页
   ·光学邻近校正技术中的动态自适应切分技术第48-63页
     ·现有边切分技术的困境及改进方向第48-50页
     ·动态自适应切分算法第50-56页
     ·实验结果及讨论第56-63页
   ·带有映射模型的光学邻近校正技术第63-77页
     ·校正线段与光强校正点的映射问题第63-64页
     ·校正线段与光强校正点映射模型的推导第64-70页
     ·映射模型计算及应用的加速方法第70-73页
     ·映射模型在光学邻近校正中的应用及实验第73-74页
     ·实验结果及讨论第74-77页
   ·本章小结第77-78页
第4章 热点感知反向光刻技术和并行反向光刻技术第78-102页
   ·引言第78-79页
   ·热点感知的反向光刻技术第79-88页
     ·热点位置的确定第80-82页
     ·纹波传递效应的消除第82-84页
     ·热点感知的反向光刻技术流程第84-85页
     ·实验结果及讨论第85-88页
   ·面向无缝拼接的并行反向光刻技术第88-101页
     ·传统并行反向光刻技术及分析第88-92页
     ·面向无缝拼接的反向光刻技术第92-95页
     ·实验结果及讨论第95-101页
   ·本章小结第101-102页
第5章 基于卷积核的可制造性模型及建模第102-114页
   ·引言第102-103页
   ·可制造性模型的数学描述第103-105页
   ·可制造性模型的建模方法第105-107页
   ·可制造性模型有关问题的讨论第107-109页
   ·实验结果及讨论第109-113页
   ·本章小结第113-114页
第6章 论文总结及工作展望第114-118页
   ·论文总结第114-115页
   ·工作展望第115-118页
参考文献第118-127页
附录第127-129页
作者简历及在学期间所取得的科研成果第129-130页

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