| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 专用术语注释表 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 SOI技术概述 | 第13-16页 |
| 1.2 SOI横向功率器件耐压技术研究进展 | 第16-25页 |
| 1.2.1 复合RESURF技术 | 第16-18页 |
| 1.2.2 场板技术 | 第18-19页 |
| 1.2.3 漂移区杂质密度线性化技术 | 第19-21页 |
| 1.2.4 横向超结技术 | 第21-22页 |
| 1.2.5 高k介质技术 | 第22-23页 |
| 1.2.6 埋层电场增强技术 | 第23-25页 |
| 1.3 SOI横向功率器件耐压模型研究进展 | 第25-26页 |
| 1.4 SOI横向功率器件工艺技术研究进展 | 第26-27页 |
| 1.5 本论文的主要工作及创新点 | 第27-30页 |
| 第二章 侧壁高k介质SOI横向功率器件 | 第30-48页 |
| 2.1 侧壁高k介质SOI横向功率器件结构设计 | 第30-36页 |
| 2.1.1 器件耐压机理分析 | 第31-32页 |
| 2.1.2 结构参数优化设计 | 第32-36页 |
| 2.2 侧壁高k介质SOI横向功率器件耐压模型 | 第36-44页 |
| 2.2.1 势场分布模型 | 第37-42页 |
| 2.2.2 击穿电压模型 | 第42-44页 |
| 2.2.3 RESURF判据 | 第44页 |
| 2.3 侧壁高k介质SOI横向功率器件工艺流程 | 第44-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 局部侧壁氧化层SOI横向功率器件 | 第48-69页 |
| 3.1 局部侧壁氧化层SOI横向功率器件结构设计 | 第48-54页 |
| 3.1.1 器件耐压机理分析 | 第49-51页 |
| 3.1.2 结构参数优化设计 | 第51-54页 |
| 3.2 局部侧壁氧化层SOI横向功率器件耐压模型 | 第54-59页 |
| 3.2.1 势场分布模型 | 第55-57页 |
| 3.2.2 击穿电压模型 | 第57-59页 |
| 3.3 具有三维场板的局部侧壁氧化层SOI横向功率器件 | 第59-67页 |
| 3.3.1 器件耐压机理分析 | 第60-61页 |
| 3.3.2 结构参数优化设计 | 第61-64页 |
| 3.3.3 工艺制备流程 | 第64-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 横向变宽度SOI横向功率器件 | 第69-98页 |
| 4.1 侧壁氧化层线性变宽度SOI横向功率器件 | 第69-75页 |
| 4.1.1 器件耐压机理分析 | 第70-72页 |
| 4.1.2 结构参数优化设计 | 第72-75页 |
| 4.2 侧壁高k介质线性变宽度SOI横向功率器件 | 第75-84页 |
| 4.2.1 器件耐压机理分析 | 第75-77页 |
| 4.2.2 结构参数优化设计 | 第77-80页 |
| 4.2.3 器件耐压模型 | 第80-84页 |
| 4.3 侧壁氧化层阶梯变宽度SOI横向功率器件 | 第84-88页 |
| 4.3.1 器件耐压机理分析 | 第84-85页 |
| 4.3.2 结构参数优化设计 | 第85-88页 |
| 4.4 侧壁高k介质阶梯变宽度SOI横向功率器件 | 第88-97页 |
| 4.4.1 器件耐压机理分析 | 第89-91页 |
| 4.4.2 结构参数优化设计 | 第91-93页 |
| 4.4.3 器件耐压模型 | 第93-97页 |
| 4.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 第五章 VLTSOI横向功率器件耐压模型 | 第98-107页 |
| 5.1 势场分布模型 | 第98-101页 |
| 5.2 击穿电压模型 | 第101-104页 |
| 5.3 RESURF判据 | 第104-106页 |
| 5.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 第六章 总结与展望 | 第107-109页 |
| 6.1 总结 | 第107-108页 |
| 6.2 展望 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-117页 |
| 附录1 攻读博士学位期间撰写的论文 | 第117-120页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的专利 | 第120-121页 |
| 附录3 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第121-122页 |
| 附录4 攻读博士学位期间获奖情况 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123页 |