| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-59页 |
| 1.1 概述 | 第11页 |
| 1.2 张力的起源 | 第11-13页 |
| 1.2.1 从量子力学出发 | 第11-12页 |
| 1.2.2 从牛顿力学出发 | 第12-13页 |
| 1.3 张力的类型、大小的衡量以及可视化 | 第13-15页 |
| 1.3.1 张力的类型 | 第13页 |
| 1.3.2 张力大小的衡量 | 第13-14页 |
| 1.3.3 张力的可视化 | 第14-15页 |
| 1.4 张力有机半导体材料研究进展 | 第15-38页 |
| 1.4.1 联苯类张力有机半导体材料 | 第15-23页 |
| 1.4.2 稠环类张力半导体材料 | 第23-34页 |
| 1.4.3 芴基类张力半导体材料 | 第34-36页 |
| 1.4.4 其他具有高张力有机半导体材料 | 第36-38页 |
| 1.5 张力对材料结构和光电性质影响 | 第38-44页 |
| 1.5.1 化学位移影响 | 第39-40页 |
| 1.5.2 电子结构影响 | 第40-41页 |
| 1.5.3 光谱影响 | 第41-43页 |
| 1.5.4 拉曼光谱 | 第43-44页 |
| 1.6 张力有机半导体的应用 | 第44-47页 |
| 1.6.1 OFET器件 | 第44-46页 |
| 1.6.2 OPV器件 | 第46-47页 |
| 1.7 本论文的的选题思路和研究意义 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-59页 |
| 第二章 芴基张力半导体结构和光电性质的理论研究 | 第59-70页 |
| 2.1 引言 | 第59页 |
| 2.2 计算细节 | 第59-60页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第60-67页 |
| 2.3.1 最优化结构和张力能 | 第60-62页 |
| 2.3.2 前线轨道和静电势 | 第62-63页 |
| 2.3.3 电离电势、电子亲和能和重整能 | 第63-64页 |
| 2.3.4 光学性质：吸收和发射光谱 | 第64-67页 |
| 2.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第三章 芴基张力有机半导体的合成及其光电性能研究 | 第70-85页 |
| 3.1 引言 | 第70-71页 |
| 3.2 实验部分 | 第71-74页 |
| 3.2.1 主要试剂 | 第71页 |
| 3.2.2 综合表征测试(仪器的型号和条件) | 第71-72页 |
| 3.2.3 [4]CF和[4]LF的合成与表征 | 第72-74页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第74-81页 |
| 3.3.1 [4]CF的核磁和单晶数据 | 第75-77页 |
| 3.3.2 [4]CF的光物理性质 | 第77-79页 |
| 3.3.3 [4]CF的电化学性质 | 第79-80页 |
| 3.3.4 [4]CF的电致发光器件性质 | 第80-81页 |
| 3.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第四章 芴基张力有机半导体拉曼光谱理论与实验研究 | 第85-94页 |
| 4.1 引言 | 第85页 |
| 4.2 实验和理论计算细节 | 第85-86页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第86-91页 |
| 4.3.1 拉曼谱中峰的归属 | 第86-90页 |
| 4.3.2 张力对拉曼光谱的影响 | 第90-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第五章 芴基张力半导体作为分子级存储层在非易失性存储器中的应用 | 第94-105页 |
| 5.1 引言 | 第94-95页 |
| 5.2 材料和器件制备与表征 | 第95-97页 |
| 5.2.1 材料制备 | 第95页 |
| 5.2.2 器件制备 | 第95-96页 |
| 5.2.3 器件表征 | 第96-97页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第97-101页 |
| 5.4 存储器机理解释和物理模型 | 第101-102页 |
| 5.5 本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 第六章 总结与展望 | 第105-106页 |
| 附录1 | 第106-126页 |
| 附录2 攻读博士学位期间撰写的论文和专著 | 第126-127页 |
| 附录3 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128页 |