| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外的发展动态和研究现状 | 第13-20页 |
| 1.2.1 高压功率半导体器件概述 | 第13-18页 |
| 1.2.1.1 功率半导体技术的发展概述 | 第13-15页 |
| 1.2.1.2 功率MOS器件的发展过程和方向 | 第15-18页 |
| 1.2.2 功率集成电路的发展 | 第18-19页 |
| 1.2.3 高压互连与场板技术概述 | 第19-20页 |
| 1.3 本文的工作 | 第20-21页 |
| 第二章 高压互连技术与场板技术的研究 | 第21-40页 |
| 2.1 高压互连的研究 | 第21-26页 |
| 2.1.1 高压互连问题 | 第21-22页 |
| 2.1.2 带高压互连的single RESURF器件表面电势与电场模型 | 第22-26页 |
| 2.2 高压互连技术 | 第26-35页 |
| 2.2.1 厚绝缘层技术 | 第26-27页 |
| 2.2.2 降场层技术 | 第27-29页 |
| 2.2.3 场板技术 | 第29-34页 |
| 2.2.3.1 单层浮空场板 | 第29-30页 |
| 2.2.3.2 偏置场板 | 第30-31页 |
| 2.2.3.3 半绝缘多晶硅场板 | 第31-32页 |
| 2.2.3.4 双层多浮空场板 | 第32-34页 |
| 2.2.4 自屏蔽技术 | 第34-35页 |
| 2.3 高压互连对器件击穿电压的影响 | 第35-36页 |
| 2.4 结终端技术的研究 | 第36-39页 |
| 2.4.1 场板结构 | 第37-38页 |
| 2.4.2 场限环技术 | 第38页 |
| 2.4.3 横向变掺杂技术和结终端扩展技术 | 第38-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 RESURF技术与高压LDMOS器件的研究设计 | 第40-61页 |
| 3.1 RESURF技术概述 | 第40-45页 |
| 3.1.1 RESURF技术的原理 | 第40-42页 |
| 3.1.2 RESURF器件的耐压分析 | 第42-45页 |
| 3.2 LDMOS器件概述 | 第45-52页 |
| 3.2.1 LDMOS器件的工作原理 | 第46-48页 |
| 3.2.2 LDMOS器件的基本参数 | 第48-52页 |
| 3.3 RESURF LDMOS器件的研究与设计 | 第52-59页 |
| 3.3.1 RESURF LDMOS器件研究 | 第52页 |
| 3.3.2 RESURF LDMOS器件结构 | 第52-53页 |
| 3.3.3 二维器件仿真结果 | 第53-57页 |
| 3.3.4 二维工艺仿真结果 | 第57-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 带浮空场板结构的高压LDMOS器件的研究与设计 | 第61-76页 |
| 4.1 浮空场板的模型分析 | 第61-65页 |
| 4.1.1 单浮空场板的模型推导 | 第61-63页 |
| 4.1.2 多浮空场板的模型推导 | 第63-65页 |
| 4.2 带浮空场板的RESURF LDMOS的仿真与分析 | 第65-71页 |
| 4.2.1 单层多浮空场板结构的RESURF LDMOS | 第65-69页 |
| 4.2.2 双层多浮空场板结构的RESURF LDMOS | 第69-71页 |
| 4.3 工艺流程与版图设计 | 第71-75页 |
| 4.3.1 工艺流程 | 第71-72页 |
| 4.3.2 版图设计 | 第72-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第82-83页 |
