摘要 | 第5-8页 |
ABSTRACT | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第15-40页 |
1.1 关联氧化物 | 第16-19页 |
1.2 关联氧化物电子学 | 第19-22页 |
1.2.1 关联氧化物中的电控磁 | 第19-20页 |
1.2.2 关联氧化物中的超导特性调控 | 第20-21页 |
1.2.3 关联氧化物中的界面特性 | 第21-22页 |
1.3 关联氧化物磁学 | 第22-26页 |
1.3.1 电荷转移诱导的磁性 | 第22-23页 |
1.3.2 静电场调控载流子浓度诱导的磁性 | 第23-24页 |
1.3.3 晶体结构和轨道诱导的磁性 | 第24-25页 |
1.3.4 关联氧化物中维度导致的磁性 | 第25页 |
1.3.5 外界因素导致关联氧化物中的磁序 | 第25-26页 |
1.4 电场调控下的关联氧化物 | 第26-32页 |
1.4.1 铁电效应晶体管 | 第27页 |
1.4.2 高介电常数的场效应晶体管 | 第27-29页 |
1.4.3 电双层晶体管 | 第29-32页 |
1.5 论文主要工作及结构 | 第32-34页 |
1.6 本章参考文献 | 第34-40页 |
第二章 实验方法 | 第40-57页 |
2.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第40-43页 |
2.2 反射高能电子衍射仪(RHEED) | 第43-47页 |
2.2.1 RHEED原理 | 第43-44页 |
2.2.2 RHEED衍射斑点 | 第44-45页 |
2.2.3 RHEED振荡 | 第45-47页 |
2.3 衬底表面处理 | 第47-49页 |
2.4 靶材的制备 | 第49-50页 |
2.5 微纳加工技术 | 第50-51页 |
2.6 外延薄膜的表征 | 第51-53页 |
2.6.1 X射线衍射(XRD) | 第51-52页 |
2.6.2 原子力显微镜(AFM) | 第52-53页 |
2.6.3 透射电子显微镜(TEM) | 第53页 |
2.7 输运性质测量 | 第53-54页 |
2.8 磁学性质测量 | 第54-56页 |
2.8.1 超导量子干涉仪(SQUID) | 第54页 |
2.8.2 X射线磁圆二色性谱(XMCD) | 第54-56页 |
2.9 本章参考文献 | 第56-57页 |
第三章 锰氧化物中的奇异特性 | 第57-94页 |
3.1 引言 | 第57-61页 |
3.2 高质量氧化物薄膜的制备及表征 | 第61-64页 |
3.3 锰氧化物中输运特性 | 第64-74页 |
3.3.1 锰氧化物中的反常低温电阻 | 第64-68页 |
3.3.2 锰氧化物中的弱局域化效应 | 第68-69页 |
3.3.3 锰氧化物中的反常霍尔效应 | 第69-70页 |
3.3.4 锰氧化物强磁场下的不饱和磁电导 | 第70-74页 |
3.4 锰氧化物磁性的新机制 | 第74-85页 |
3.5 锰氧化物中的死层行为及调控 | 第85-87页 |
3.6 本章小结 | 第87-89页 |
3.7 本章参考文献 | 第89-94页 |
第四章 高迁移率氧化物界面二维电子气及电场调控 | 第94-122页 |
4.1 引言 | 第94-95页 |
4.2 高迁移率的氧化物界面二维电子气 | 第95-106页 |
4.2.1 LaAlO_3/SrTiO_3 (LAO/STO)界面二维电子气 | 第96-99页 |
4.2.2 γ-Al_2O_3/SrTiO_3 (GAO/STO)界面二维电子气 | 第99-104页 |
4.2.3 CaZrO_3/SrTiO_3 (CZO/STO)界面二维电子气 | 第104-106页 |
4.3 二维电子气离子液体电场调控 | 第106-115页 |
4.3.1 离子液体电场调控GAO/STO二维电子气 | 第107页 |
4.3.2 GAO/STO电双层晶体管制备 | 第107-109页 |
4.3.3 电场调控诱导出的Kondo效应 | 第109-111页 |
4.3.4 电场调控下的Lifshitz转变 | 第111-113页 |
4.3.5 电场调控下的自旋轨道耦合作用 | 第113-115页 |
4.3.6 电场调控下迁移率的有效提升 | 第115页 |
4.4 本章小结 | 第115-117页 |
4.5 本章参考文献 | 第117-122页 |
第五章 总结与展望 | 第122-129页 |
5.1 总结与问题 | 第122-124页 |
5.2 现状与未来 | 第124-127页 |
5.3 本章参考文献 | 第127-129页 |
致谢 | 第129-130页 |
博士期间研究成果 | 第130-133页 |