中文摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-34页 |
1.1 研究的背景及意义 | 第10-11页 |
1.2 国内外研究现状 | 第11-31页 |
1.2.1 二维材料研究现状 | 第11-24页 |
1.2.2 二维异质结研究现状 | 第24-27页 |
1.2.3 基于二维材料的气体传感器研究现状 | 第27-31页 |
1.3 本论文主要研究内容 | 第31-34页 |
第2章 二维纳米器件的制备、电学测试与传感测试平台 | 第34-52页 |
2.1 二维纳米器件的制备 | 第34-46页 |
2.1.1 二维材料的制备及其异质结构的制作方法 | 第34-39页 |
2.1.2 电极加工方法及工艺参数研究 | 第39-43页 |
2.1.3 二维材料刻蚀方法及工艺参数研究 | 第43-46页 |
2.2 电学测试平台 | 第46-47页 |
2.3 气体传感测试平台 | 第47-49页 |
2.3.1 测试电路及装置 | 第47-49页 |
2.3.2 测试气路系统 | 第49页 |
2.4 本章小结 | 第49-52页 |
第3章 MoTe_2FET电子输运及传感特性研究 | 第52-72页 |
3.1 MoTe_2FET电子输运特性研究 | 第52-64页 |
3.1.1 MoTe_2的性质与表征 | 第52-53页 |
3.1.2 MoTe_2FET迟滞现象与形成机理 | 第53-60页 |
3.1.3 MoTe_2FET变温输运测量 | 第60-62页 |
3.1.4 快速退火工艺对MoTe_2FET电学特性的影响 | 第62-64页 |
3.2 MoTe_2FET气体传感特性的研究 | 第64-67页 |
3.2.1 MoTe_2FET二氧化氮气体传感性能的研究 | 第65-66页 |
3.2.2 MoTe_2FET氨气气体传感性能的研究 | 第66-67页 |
3.3 栅极偏压对MoTe_2FET气体传感性能的影响 | 第67-70页 |
3.3.1 栅极偏压对MoTe_2FET气体传感灵敏度的影响 | 第67-68页 |
3.3.2 栅极偏压对MoTe_2FET气体传感恢复速度的影响 | 第68-70页 |
3.4 本章小结 | 第70-72页 |
第4章 光照增强MoTe_2FET传感器气敏特性机理研究 | 第72-86页 |
4.1 光照对MoTe_2FET电学特性的影响 | 第72-76页 |
4.1.1 光照对MoTe_2FET转移特性的影响 | 第72-74页 |
4.1.2 MoTe_2FET的光电响应 | 第74-76页 |
4.2 光照对MoTe_2FET传感器气敏性能的影响 | 第76-83页 |
4.2.1 不同波长光照对MoTe_2FET检测氨气性能的影响 | 第76-79页 |
4.2.2 不同波长光照对MoTe_2FET检测二氧化氮性能的影响 | 第79-83页 |
4.3 光功率对MoTe_2FET传感器灵敏度的影响 | 第83-84页 |
4.4 本章小结 | 第84-86页 |
第5章 二维异质结的电子输运特性及传感机理研究 | 第86-102页 |
5.1 BP/MoSe_2异质结的电子输运特性研究 | 第86-91页 |
5.1.1 BP/MoSe_2异质结构的制备与表征 | 第86-88页 |
5.1.2 BP、MoSe_2FET器件研究 | 第88-89页 |
5.1.3 BP/MoSe_2异质结器件研究 | 第89-91页 |
5.2 BP/MoSe_2异质结增强气体传感性能的研究 | 第91-95页 |
5.2.1 BPFET气体传感性能的研究 | 第92-93页 |
5.2.2 MoSe_2FET气体传感性能的研究 | 第93页 |
5.2.3 BP/MoSe_2异质结气体传感性能的研究 | 第93-95页 |
5.3 BP/MoSe_2异质结气体传感机理的研究 | 第95-100页 |
5.3.1 气体吸附对BP/MoSe_2异质结内建电势的影响 | 第95-97页 |
5.3.2 气体吸附对BP/MoSe_2异质结能带偏移及输运特性影响的有限元建模分析 | 第97-100页 |
5.4 本章小结 | 第100-102页 |
第6章 总结与展望 | 第102-106页 |
6.1 本论文主要工作 | 第102-103页 |
6.2 本论文创新性成果 | 第103-104页 |
6.3 工作展望 | 第104-106页 |
参考文献 | 第106-118页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第118-120页 |
致谢 | 第120-121页 |