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二维材料及其异质结构的输运特性与气体传感应用研究

中文摘要第4-5页
abstract第5-6页
第1章 绪论第10-34页
    1.1 研究的背景及意义第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-31页
        1.2.1 二维材料研究现状第11-24页
        1.2.2 二维异质结研究现状第24-27页
        1.2.3 基于二维材料的气体传感器研究现状第27-31页
    1.3 本论文主要研究内容第31-34页
第2章 二维纳米器件的制备、电学测试与传感测试平台第34-52页
    2.1 二维纳米器件的制备第34-46页
        2.1.1 二维材料的制备及其异质结构的制作方法第34-39页
        2.1.2 电极加工方法及工艺参数研究第39-43页
        2.1.3 二维材料刻蚀方法及工艺参数研究第43-46页
    2.2 电学测试平台第46-47页
    2.3 气体传感测试平台第47-49页
        2.3.1 测试电路及装置第47-49页
        2.3.2 测试气路系统第49页
    2.4 本章小结第49-52页
第3章 MoTe_2FET电子输运及传感特性研究第52-72页
    3.1 MoTe_2FET电子输运特性研究第52-64页
        3.1.1 MoTe_2的性质与表征第52-53页
        3.1.2 MoTe_2FET迟滞现象与形成机理第53-60页
        3.1.3 MoTe_2FET变温输运测量第60-62页
        3.1.4 快速退火工艺对MoTe_2FET电学特性的影响第62-64页
    3.2 MoTe_2FET气体传感特性的研究第64-67页
        3.2.1 MoTe_2FET二氧化氮气体传感性能的研究第65-66页
        3.2.2 MoTe_2FET氨气气体传感性能的研究第66-67页
    3.3 栅极偏压对MoTe_2FET气体传感性能的影响第67-70页
        3.3.1 栅极偏压对MoTe_2FET气体传感灵敏度的影响第67-68页
        3.3.2 栅极偏压对MoTe_2FET气体传感恢复速度的影响第68-70页
    3.4 本章小结第70-72页
第4章 光照增强MoTe_2FET传感器气敏特性机理研究第72-86页
    4.1 光照对MoTe_2FET电学特性的影响第72-76页
        4.1.1 光照对MoTe_2FET转移特性的影响第72-74页
        4.1.2 MoTe_2FET的光电响应第74-76页
    4.2 光照对MoTe_2FET传感器气敏性能的影响第76-83页
        4.2.1 不同波长光照对MoTe_2FET检测氨气性能的影响第76-79页
        4.2.2 不同波长光照对MoTe_2FET检测二氧化氮性能的影响第79-83页
    4.3 光功率对MoTe_2FET传感器灵敏度的影响第83-84页
    4.4 本章小结第84-86页
第5章 二维异质结的电子输运特性及传感机理研究第86-102页
    5.1 BP/MoSe_2异质结的电子输运特性研究第86-91页
        5.1.1 BP/MoSe_2异质结构的制备与表征第86-88页
        5.1.2 BP、MoSe_2FET器件研究第88-89页
        5.1.3 BP/MoSe_2异质结器件研究第89-91页
    5.2 BP/MoSe_2异质结增强气体传感性能的研究第91-95页
        5.2.1 BPFET气体传感性能的研究第92-93页
        5.2.2 MoSe_2FET气体传感性能的研究第93页
        5.2.3 BP/MoSe_2异质结气体传感性能的研究第93-95页
    5.3 BP/MoSe_2异质结气体传感机理的研究第95-100页
        5.3.1 气体吸附对BP/MoSe_2异质结内建电势的影响第95-97页
        5.3.2 气体吸附对BP/MoSe_2异质结能带偏移及输运特性影响的有限元建模分析第97-100页
    5.4 本章小结第100-102页
第6章 总结与展望第102-106页
    6.1 本论文主要工作第102-103页
    6.2 本论文创新性成果第103-104页
    6.3 工作展望第104-106页
参考文献第106-118页
发表论文和参加科研情况说明第118-120页
致谢第120-121页

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