| 目录 | 第2-3页 |
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 半导体制程简介 | 第6-12页 |
| 第一节 半导体制造流程 | 第6-8页 |
| 第二节 硅晶圆材料特性及其应用 | 第8-10页 |
| 第三节 薄膜制程简介 | 第10页 |
| 第四节 高密度等离子体化学气相沉积HDP-CVD | 第10-12页 |
| 第二章 FSG制程及各项参数对FSG性能的影响 | 第12-16页 |
| 第一节 Low K材料简介 | 第12-13页 |
| 第二节 FSG材料简介 | 第13-14页 |
| 第三节 HDP反应腔体 | 第14-15页 |
| 第四节 沉积温度对FSG的影响 | 第15-16页 |
| 第三章 晶圆材料工艺介绍 | 第16-19页 |
| 第一节 影响背面参数的工艺 | 第16-17页 |
| 第二节 研磨程度 | 第17页 |
| 第三节 蚀刻方式 | 第17-19页 |
| 第四章 晶圆材料对HDP FSG制程的影响 | 第19-27页 |
| 第一节 HDP反应原理 | 第19-20页 |
| 第二节 HDP腔体冷却系统 | 第20-21页 |
| 第三节 晶圆温度测量 | 第21-22页 |
| 第四节 晶圆材料背面光亮度对HDP cahmber的作用机理 | 第22-26页 |
| 第五节 FSG气泡的产生及其危害 | 第26-27页 |
| 第五章 控制原材料的影响预防FSG气泡 | 第27-31页 |
| 第一节 控制硅晶圆背面光亮度的方法 | 第28-29页 |
| 第二节 设计系统反馈 | 第29-31页 |
| 总结 | 第31-32页 |
| 参考文献目录 | 第32-33页 |
| 致谢 | 第33-34页 |