| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 第一章 前言 | 第6-9页 |
| 1.1 论文背景——新技术开发的意义 | 第6-7页 |
| 1.2 研究目的——开发新工艺提高现有设备的能力的意义 | 第7-8页 |
| 1.3 论文结构 | 第8-9页 |
| 第二章 eMAX 机台和 C4F6简介 | 第9-13页 |
| 2.1 eMAX 机台的简介 | 第9-11页 |
| 2.1.1 刻蚀设备的发展 | 第9-10页 |
| 2.1.2 eMAX 刻蚀设备简介 | 第10-11页 |
| 2.2 C4F6 与C4F8 刻蚀性能比较及相关研究 | 第11-12页 |
| 2.3 本章小结 | 第12-13页 |
| 第三章 介质层干法刻蚀原理 | 第13-25页 |
| 3.1 介质层干法刻蚀原理 | 第13-16页 |
| 3.1.1 干法刻蚀的原理 | 第13-14页 |
| 3.1.2 干法刻蚀作用 | 第14-15页 |
| 3.1.3 电势分布 | 第15-16页 |
| 3.2 介质层干法刻蚀反应器 | 第16-18页 |
| 3.2.1 刻蚀反应器的比较 | 第16-18页 |
| 3.3 介质层干法刻蚀的要求 | 第18-21页 |
| 3.4 介质层的干法刻蚀 | 第21-23页 |
| 3.4.1 刻蚀的反应气体 | 第21-22页 |
| 3.4.2 介质层刻蚀的选择比 | 第22-23页 |
| 3.5 本章小结 | 第23-25页 |
| 第四章 新的介质层刻蚀工艺的开发 | 第25-43页 |
| 4.1 现有介质层刻蚀工艺的问题 | 第25-26页 |
| 4.2 实验测试和分析工具 | 第26-28页 |
| 4.2.1 生产线实验申请 | 第26-27页 |
| 4.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第27页 |
| 4.2.3 切片分析工具 | 第27-28页 |
| 4.2.4 缺陷侦测 | 第28页 |
| 4.2.5 WAT(wafer acceptable Test) 电性测试 | 第28页 |
| 4.3 正交实验确定0.13um 接触孔/通孔刻蚀影响的主要参数 | 第28-33页 |
| 4.3.1 刻蚀速率影响因素分析 | 第29-30页 |
| 4.3.2 均匀性影响因素分析 | 第30-31页 |
| 4.3.3 选择比影响因素分析 | 第31-33页 |
| 4.4 C4F6气体的应用和刻蚀参数的调整对改善刻蚀性能的实际影响 | 第33-41页 |
| 4.4.1 反应室压力效应 | 第33-34页 |
| 4.4.2 射频(RF)效应 | 第34-35页 |
| 4.4.3 C4F6气体流量效应 | 第35-36页 |
| 4.4.4 O_2效应分析 | 第36-37页 |
| 4.4.5 氩气(Ar)流量效应 | 第37-38页 |
| 4.4.6 CO 气体效应分析 | 第38-39页 |
| 4.4.7 温度效应影响 | 第39-40页 |
| 4.4.8 磁场(B-Field)效应 | 第40-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 工程流片验证 | 第43-48页 |
| 5.1 工艺刻蚀的稳定性比较 | 第43-44页 |
| 5.2 产品切片轮廓的比较 | 第44-45页 |
| 5.3 缺陷(defect)比较 | 第45页 |
| 5.4 产品的WAT(wafer acceptable test)比较 | 第45-46页 |
| 5.5 产品的良率比较 | 第46-47页 |
| 5.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第52-55页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第55页 |
