| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 集成电路的发展趋势 | 第10-11页 |
| 1.2 硅片制造工艺概述 | 第11-22页 |
| 1.2.1 硅单晶的性质 | 第11-13页 |
| 1.2.2 硅抛光片的制备工艺 | 第13-22页 |
| 1.3 硅片表面主要几何参数 | 第22-25页 |
| 1.3.1 硅抛光片平整度参数 | 第22-24页 |
| 1.3.2 影响硅片平整度的主要制程 | 第24-25页 |
| 1.4 本文研究的内容与意义 | 第25-27页 |
| 2 实验 | 第27-31页 |
| 2.1 实验材料 | 第27页 |
| 2.2 实验设备 | 第27-30页 |
| 2.2.1 硅抛光片加工系统 | 第27页 |
| 2.2.2 几何参数检测设备 | 第27-28页 |
| 2.2.3 轮廓仪 | 第28-29页 |
| 2.2.4 金相显微镜 | 第29-30页 |
| 2.3 实验方案 | 第30-31页 |
| 3 不同的腐蚀处理方式对抛光后SFQR的影响 | 第31-51页 |
| 3.1 酸腐蚀处理对抛光后SFQR的影响 | 第31-38页 |
| 3.1.1 不同酸腐蚀去除量对抛光后SFQR的影响 | 第31-35页 |
| 3.1.2 酸腐蚀过程采用不同转速对硅片抛光后SFQR的影响 | 第35-38页 |
| 3.2 不同腐蚀类型对抛光后SFQR的影响 | 第38-42页 |
| 3.2.1 实验设计 | 第38页 |
| 3.2.2 不同腐蚀类型硅片抛光后SFQR的对比分析 | 第38-42页 |
| 3.3 不同碱腐蚀剂处理对抛光后SFQR的影响 | 第42-46页 |
| 3.3.1 实验设计 | 第42-43页 |
| 3.3.2 不同碱腐蚀剂对腐蚀后硅片表面形貌的影响 | 第43-46页 |
| 3.4 抛光过程分析 | 第46-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 4 硅片背面起伏状态对抛光后SFQR的影响 | 第51-61页 |
| 4.1 双面磨削处理对抛光后SFQR的影响 | 第51-53页 |
| 4.1.1 实验设计 | 第51-52页 |
| 4.1.2 双面磨削处理对抛光后SFQR影响结果分析 | 第52-53页 |
| 4.2 背面抛光处理对抛光后SFQR的影响 | 第53-56页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第53-54页 |
| 4.2.2 不同背面抛光处理对抛光后SFQR影响分析 | 第54-56页 |
| 4.3 贴片工艺参数对抛光后SFQR的影响 | 第56-60页 |
| 4.3.1 实验设计 | 第56页 |
| 4.3.2 不同贴片工艺参数对抛光后SFQR的影响分析 | 第56-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
