三维集成电路中硅通孔的建模与仿真研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1. 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1. 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2. 研究进展和现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1. 工艺 | 第12-15页 |
| 1.2.2. 建模 | 第15-16页 |
| 1.3. 论文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 2. 基于碳纳米管的硅通孔 | 第18-34页 |
| 2.1. 碳纳米管硅通孔 | 第18-27页 |
| 2.1.1. 等效复电导率 | 第21-22页 |
| 2.1.2. 电流密度分布 | 第22页 |
| 2.1.3. 等效电路模型 | 第22-27页 |
| 2.1.4. 传输特性 | 第27页 |
| 2.2. 铜-碳纳米管混合硅通孔 | 第27-32页 |
| 2.3. 本章小结 | 第32-34页 |
| 3. 重布线层中的互连线 | 第34-50页 |
| 3.1. PEEC方法简介 | 第34-36页 |
| 3.2. 单端互连线 | 第36-40页 |
| 3.3. 耦合互连线 | 第40-45页 |
| 3.4. 耦合碳纳米管互连线 | 第45-48页 |
| 3.4.1. 等效阻抗 | 第45-46页 |
| 3.4.2. 电学特性 | 第46-48页 |
| 3.5. 本章小结 | 第48-50页 |
| 4. 差分硅通孔 | 第50-60页 |
| 4.1. 等效电路模型 | 第50-55页 |
| 4.2. 电学特性 | 第55-58页 |
| 4.2.1. 温度效应 | 第55-58页 |
| 4.2.2. 设计参数变化 | 第58页 |
| 4.3. 差分碳纳米管硅通孔 | 第58页 |
| 4.4. 本章小结 | 第58-60页 |
| 5. 浮硅基底中的硅通孔 | 第60-82页 |
| 5.1. 浮硅基底中的硅通孔阵列 | 第61-72页 |
| 5.1.1. MOS电容 | 第61-64页 |
| 5.1.2. 硅基底导纳 | 第64-65页 |
| 5.1.3. 硅通孔对瞬态分析 | 第65-70页 |
| 5.1.4. 硅通孔阵列瞬态特性分析 | 第70-72页 |
| 5.2. 考虑内部浮硅的同轴硅通孔 | 第72-79页 |
| 5.2.1. 等效电路模型 | 第73-79页 |
| 5.2.2. 瞬态特性分析 | 第79页 |
| 5.3. 本章小结 | 第79-82页 |
| 6. 总结与展望 | 第82-84页 |
| 6.1. 全文总结 | 第82页 |
| 6.2. 未来工作的展望 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 附录：ADS中SDD模块的使用方法 | 第92-94页 |
| 在读期间发表的学术论文、专利及参加的科研项目 | 第94-96页 |
