| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·GaN 材料的性质与应用 | 第10-13页 |
| ·GaN 材料的性质 | 第10-13页 |
| ·GaN 材料的应用 | 第13页 |
| ·纳米材料和纳米线 | 第13-19页 |
| ·纳米材料 | 第13页 |
| ·纳米材料的应用 | 第13-15页 |
| ·纳米线 | 第15-16页 |
| ·纳米线的特性 | 第16-18页 |
| ·纳米线的制备方法 | 第18-19页 |
| ·本文安排 | 第19-22页 |
| 第二章 实验平台及相关表征技术 | 第22-34页 |
| ·MOCVD 生长系统介绍 | 第22-26页 |
| ·MOCVD 生长系统简介[25-26] | 第22-25页 |
| ·MOCVD 外延 GaN 的基本理论 | 第25-26页 |
| ·本研究所用的 MOCVD 系统简介 | 第26页 |
| ·HVPE 生长系统介绍 | 第26-29页 |
| ·表征手段介绍 | 第29-33页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第29页 |
| ·X 射线衍射仪（X-ray diffraction） | 第29-31页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第31-32页 |
| ·光致发光谱（photoluminescence） | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 MOCVD 制备 GaN 纳米线的研究 | 第34-48页 |
| ·制备垂直于衬底的氮化镓纳米线 | 第34页 |
| ·实验结果表征和分析 | 第34-39页 |
| ·样品的 SEM 分析 | 第35页 |
| ·样品的 XRD 分析 | 第35-36页 |
| ·样品的 Raman 光谱分析 | 第36-37页 |
| ·样品的 PL 谱分析 | 第37-38页 |
| ·生长机理的分析 | 第38-39页 |
| ·生长条件对实验结果的影响 | 第39-41页 |
| ·温度对于纳米线生长结果的影响 | 第39-40页 |
| ·催化剂薄膜厚度对生长结果的影响 | 第40-41页 |
| ·制备平行于衬底的 GaN 纳米线 | 第41-42页 |
| ·实验结果的表征和分析 | 第42-46页 |
| ·样品的 SEM 分析 | 第42-44页 |
| ·样品的 XRD 分析 | 第44页 |
| ·样品的 Raman 光谱分析 | 第44-45页 |
| ·样品的 PL 谱分析 | 第45-46页 |
| ·生长机制分析 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 HVPE 法制备 GaN 纳米线的研究 | 第48-58页 |
| ·制备 GaN 纳米线 | 第48-49页 |
| ·实验结果的表征和分析 | 第49-52页 |
| ·样品的 SEM 分析 | 第49-50页 |
| ·样品的 XRD 分析 | 第50-51页 |
| ·样品的 Raman 光谱分析 | 第51-52页 |
| ·样品的 PL 谱分析 | 第52页 |
| ·生长条件对实验结果的影响 | 第52-56页 |
| ·氨气流量的影响 | 第52-54页 |
| ·衬底对生长结果的影响 | 第54页 |
| ·催化剂对生长结果的影响 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第68-69页 |