| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| ·纳米材料及其应用 | 第9-13页 |
| ·纳米材料概念及分类 | 第9页 |
| ·纳米材料的特性 | 第9-11页 |
| ·纳米材料的应用 | 第11-12页 |
| ·纳米半导体的特性 | 第12-13页 |
| ·GaN 材料的基本性质和研究进展 | 第13-23页 |
| ·GaN 的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·GaN 材料的优势 | 第14-17页 |
| ·GaN 基材料的制备 | 第17-20页 |
| ·GaN 材料外延衬底的选择 | 第20-22页 |
| ·GaN 材料的应用 | 第22-23页 |
| ·GaN 一维纳米材料特性及研究进展 | 第23-26页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第26-29页 |
| 第二章 实验设备和测试表征方法 | 第29-35页 |
| ·实验设备 | 第29-31页 |
| ·真空蒸发系统 | 第29页 |
| ·MOCVD 系统 | 第29-30页 |
| ·实验中的其他设备 | 第30-31页 |
| ·实验所用试剂 | 第31页 |
| ·衬底的处理 | 第31-32页 |
| ·样品的测试和表征技术 | 第32-34页 |
| ·样品的形貌分析 | 第32-33页 |
| ·样品的结构和成分分析 | 第33-34页 |
| ·光学特性分析 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 以 Ni(NO_3)_2为催化剂制备 GaN 纳米线 | 第35-47页 |
| ·一维 GaN 纳米线的合成 | 第35-37页 |
| ·实验过程 | 第35-36页 |
| ·Si 衬底表面催化剂形貌 | 第36-37页 |
| ·GaN 纳米线的表征 | 第37-40页 |
| ·GaN 纳米线的 SEM 分析 | 第37页 |
| ·GaN 纳米线的 EDS 分析 | 第37-38页 |
| ·GaN 纳米线的 XRD 分析 | 第38-39页 |
| ·GaN 纳米线的 PL 谱分析 | 第39-40页 |
| ·生长条件对制备 GaN 纳米线影响 | 第40-44页 |
| ·Ni(NO_3)_2浓度对制备 GaN 纳米线的影响 | 第40-41页 |
| ·反应温度对制备 GaN 纳米线的影响 | 第41-42页 |
| ·氨气流量对制备 GaN 纳米线的影响 | 第42-43页 |
| ·反应时间对制备 GaN 纳米线的影响 | 第43-44页 |
| ·GaN 纳米线的生长机制 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 Ni 作催化剂制备 GaN 纳米线 | 第47-57页 |
| ·一维 GaN 纳米线的合成 | 第47-49页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·Si 衬底表面金属 Ni 催化剂形貌 | 第48-49页 |
| ·一维 GaN 纳米线材料的表征 | 第49-51页 |
| ·GaN 纳米线的 SEM 分析 | 第49页 |
| ·GaN 纳米线的 EDS 分析 | 第49-50页 |
| ·GaN 纳米线的 XRD 分析 | 第50-51页 |
| ·GaN 纳米线的 PL 谱分析 | 第51页 |
| ·GaN 纳米线的生长机制 | 第51-52页 |
| ·Ni(NO_3)_2和 Ni 催化剂制备 GaN 纳米线的比较 | 第52-55页 |
| ·催化剂形貌的比较 | 第52-53页 |
| ·GaN 纳米线形貌的比较 | 第53页 |
| ·GaN 纳米线成分的比较 | 第53-54页 |
| ·GaN 纳米线结构的比较 | 第54-55页 |
| ·GaN 纳米线发光特性的比较 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
