| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·GaN 材料及其 HEMT 器件发展 | 第9-12页 |
| ·GaN 材料的优势 | 第9-10页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结构的优势 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaNHEMT 器件的发展情况 | 第11-12页 |
| ·研究动力 | 第12-13页 |
| ·研究背景 | 第13-18页 |
| ·热电子效应 | 第13-14页 |
| ·逆压电效应 | 第14-18页 |
| ·本文研究内容及安排 | 第18-19页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 的工作原理及其制备 | 第19-27页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的工作原理 | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN 的工艺制备 | 第20-26页 |
| ·关键工艺步骤及工艺流程 | 第20-22页 |
| ·工艺流程监测 | 第22-24页 |
| ·可靠性实验所用 HEMT 器件的直流特性 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 阶梯电应力下 AlGaN/GaN HEMT 的可靠性研究 | 第27-41页 |
| ·阶梯电应力方案设计 | 第27-30页 |
| ·阶梯电应力可靠性实验结果及分析 | 第30-39页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 在关态漏阶梯电应力下的可靠性 | 第30-33页 |
| ·栅阶梯应力下器件可靠性研究 | 第33-36页 |
| ·开态漏阶梯电应力下器件可靠性 | 第36-39页 |
| ·阶梯电应力可靠性分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 在关态恒压应力下的可靠性 | 第41-49页 |
| ·实验方案设计 | 第41页 |
| ·关态恒压应力下器件可靠性 | 第41-48页 |
| ·亚临界电压下关态恒压应力下器件可靠性 | 第41-43页 |
| ·临界电压条件下关态恒定强场应力测试及其分析 | 第43-48页 |
| ·关态下恒定强场应力可靠性分析 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结束语 | 第49-51页 |
| ·本文总结 | 第49-50页 |
| ·展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读硕士期间参加的科研项目 | 第59-60页 |
