| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·非易失性存储器发展历程 | 第9-10页 |
| ·Ti0_2的结构、性能及应用 | 第10-13页 |
| ·Ti0_2的结构 | 第10-11页 |
| ·Ti0_2的性能及应用 | 第11-12页 |
| ·Ti0_2薄膜的制备方法比较 | 第12-13页 |
| ·基于Ti0_2薄膜的RRAM 研究现状 | 第13-15页 |
| ·本论文的研究意义、思路和内容 | 第15-17页 |
| ·本论文研究的意义和思路 | 第15-16页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 Ti0_2薄膜的制备与表征 | 第17-25页 |
| ·反应溅射法制备Ti0_2薄膜 | 第17-19页 |
| ·衬底准备 | 第17页 |
| ·溅射 | 第17-19页 |
| ·阻变器件结构的实现 | 第19-21页 |
| ·电极的制备 | 第19-20页 |
| ·Ti0_2 薄膜的制备 | 第20-21页 |
| ·薄膜与器件的表征 | 第21-25页 |
| ·膜厚分析 | 第21-22页 |
| ·表面形貌分析 | 第22-23页 |
| ·XRD 分析表征 | 第23页 |
| ·电阻开关特性表征 | 第23-25页 |
| 第三章 TiO_x薄膜的结构和性能研究 | 第25-42页 |
| ·基底温度对TiO_x薄膜结构的影响 | 第25-28页 |
| ·生长速率与基底温度的关系 | 第25-26页 |
| ·不同基底温度TiO_x薄膜的XRD 研究 | 第26-27页 |
| ·不同基底温度TiO_x薄膜的AFM 研究 | 第27-28页 |
| ·基底温度对TiO_x薄膜开关特性的影响 | 第28-32页 |
| ·基底温度与初始化电压的关系 | 第29-30页 |
| ·基底温度对薄膜阻变稳定性的影响 | 第30-32页 |
| ·氧氩比对TiO_x薄膜结构的影响 | 第32-35页 |
| ·氧流量变化对TiO_x薄膜厚度的影响 | 第32页 |
| ·不同氧氩比TiO_x薄膜的XRD 研究 | 第32-35页 |
| ·氧氩比对TiO_x薄膜开关特性的影响 | 第35-41页 |
| ·氧流量变化对TiO_x薄膜初始化电压的影响 | 第35-36页 |
| ·氧流量变化对阻变可重复性能的影响 | 第36-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 不同下电极材料对Ti0_2薄膜开关机制的影响 | 第42-57页 |
| ·样品制备与表征 | 第42-47页 |
| ·Cu、Ag、Al、W、Ti 下电极薄膜的制备与表征 | 第42-46页 |
| ·下电极上Ti0_2薄膜的制备与表征 | 第46-47页 |
| ·下电极Cu、Ag、Al 对Ti0_2薄膜开关机制的影响 | 第47-53页 |
| ·下电极Cu 对Ti0_2薄膜阻变性能的影响 | 第48-51页 |
| ·下电极Ag 对Ti0_2薄膜阻变性能的影响 | 第51-52页 |
| ·下电极Al 对Ti0_2薄膜阻变性能的影响 | 第52页 |
| ·Cu、Ag 和Al 对Ti0_2薄膜开关机制影响的比较 | 第52-53页 |
| ·下电极W 和Ti 对Ti0_2薄膜开关机制的影响 | 第53-55页 |
| ·下电极W 对Ti0_2薄膜阻变性能的影响 | 第53-55页 |
| ·下电极Ti 对Ti0_2薄膜阻变性能的影响 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
