| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRCT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-20页 |
| ·自组装复合膜的研究概况 | 第12-14页 |
| ·有序超薄膜制备技术简介 | 第12页 |
| ·自组装制备技术简介 | 第12-14页 |
| ·NO_2传感器的研究现状 | 第14-17页 |
| ·NO_2敏有机气敏材料的研究概况 | 第14-16页 |
| ·NO_2气敏机理的研究现状 | 第16页 |
| ·NO_2气体传感器的基本器件结构 | 第16-17页 |
| ·气体传感器阵列研究进展 | 第17-18页 |
| ·论文的选题及主要工作结构体系 | 第18-20页 |
| 第二章 自组装工艺介绍及主要分析测试方法 | 第20-37页 |
| ·自组装复合膜的材料选择及制备工艺 | 第20-22页 |
| ·有机气敏材料的选择 | 第20页 |
| ·掺杂诱导沉积自组装的机理 | 第20-21页 |
| ·基片的表面处理,多层膜基底的预处理和功能化 | 第21-22页 |
| ·相关材料制备 | 第22-23页 |
| ·试剂 | 第22页 |
| ·化学氧化聚合法合成聚苯胺及表征 | 第22-23页 |
| ·聚苯乙烯磺酸的制备 | 第23页 |
| ·胶体金的合成 | 第23页 |
| ·主要分析测试方法介绍 | 第23-36页 |
| ·紫外-可见光分光光度法和红外光谱 | 第24-30页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜AFM(ATOMIC FORCE MICROSCOPE) | 第31-32页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
| ·石英晶体微天平QCM 介绍 | 第33-36页 |
| ·化学场效应管气敏特性测试方法 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 NO_2气敏膜的制备表征及气敏特性测试 | 第37-50页 |
| ·聚苯胺复合膜的制备 | 第37-38页 |
| ·金胶体的表征与分析 | 第38-40页 |
| ·自组装过程及自组装薄膜的表征和分析 | 第40-47页 |
| ·自组装过程的UV-Vis 表征及分析 | 第40-41页 |
| ·自组装过程的QCM 表征及分析 | 第41-42页 |
| ·聚苯胺/聚苯乙烯磺酸自组装膜的XPS 分析 | 第42-43页 |
| ·胶体金基底聚苯胺复合膜的红外吸收光谱表征及分析 | 第43页 |
| ·胶体金基膜的XRD 构象分析 | 第43-44页 |
| ·胶体金基膜以及聚苯胺复合膜的的AFM 形貌分析 | 第44-47页 |
| ·聚苯胺自组装复合膜的气体敏感特性测试 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 ChemFET 器件阵列设计及阵列的敏感特性研究 | 第50-76页 |
| ·MOS 管的基本理论 | 第50-53页 |
| ·场效应管的类型 | 第50页 |
| ·MOSFET 基本结构及工作原理 | 第50-52页 |
| ·描述MOSFET 性能的主要特性参数 | 第52-53页 |
| ·化学场效应管的器件结构设计 | 第53-57页 |
| ·气敏传感器的主要特性参数 | 第53-54页 |
| ·化学场效应管的基本原理 | 第54-55页 |
| ·化学场效应管的设计原则 | 第55-57页 |
| ·化学场效应管阵列结构设计与制造(版图) | 第57-60页 |
| ·工艺参数的模拟优化 | 第57-58页 |
| ·版图与图形参数 | 第58-59页 |
| ·制备工艺及技术指标 | 第59-60页 |
| ·化学场效应管阵列敏感特性测试与研究 | 第60-74页 |
| ·槽栅CFT 器件与不同处理工艺ChemFET 气敏特性的比较 | 第60-62页 |
| ·阵列敏感特性测试 | 第62-67页 |
| ·气体敏感原理 | 第67-69页 |
| ·气体响应的动力学过程 | 第69-71页 |
| ·温湿度对NO_2气敏传感器阵列敏感特性的影响 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结及展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 附录 A 器件工艺模拟的源程序(软件名称Tsuprem4) | 第88-89页 |
| 附录 B 发表论文情况 | 第89页 |
