致谢 | 第1-4页 |
中文摘要 | 第4-11页 |
第一章 绪论 | 第11-16页 |
§1.1 21世纪硅微电子技术的发展 | 第11-12页 |
§1.2 通信技术热点及CMOS射频集成电路的出现 | 第12-13页 |
§1.3 选题背景 | 第13-14页 |
§1.4 论文的研究内容和结构 | 第14-16页 |
第二章 硅集成电感的研究状况及其应用 | 第16-27页 |
§2.1 硅集成电感的结构和模型 | 第16-18页 |
§2.2 集成电感的Q值 | 第18-22页 |
2.2.1 关于Q值 | 第18-19页 |
2.2.2 串、并联网络的相互转换 | 第19-20页 |
2.2.3 硅集成电感的Q值 | 第20-22页 |
§2.3 硅集成电感的研究进展及提高Q值的方法 | 第22-26页 |
§2.4 电感的应用 | 第26页 |
§2.5 小结 | 第26-27页 |
第三章 常规平面螺旋电感的传输线模型建立与实验研究 | 第27-56页 |
§3.1 S参数与传输线理论 | 第27-37页 |
3.1.1 传输线方程及其解 | 第27-31页 |
3.1.2 S参数与双端网络 | 第31-34页 |
3.1.3 双端网络参数的转换 | 第34-37页 |
§3.2 常规平面螺旋型电感的设计、制备及测试 | 第37-41页 |
§3.3 集成电感传输线模型与参数提取 | 第41-49页 |
3.3.1 集成电感传输线模型的建立 | 第41-42页 |
3.3.2 理想双端口传输线参数的提取 | 第42-43页 |
3.3.3 集成电感双端口传输线参数的提取 | 第43-47页 |
3.3.4 集成电感物理模型参数的提取和参数方程的建立 | 第47-49页 |
§3.4 集成电感测试计算结果与讨论 | 第49-55页 |
3.4.1 集成电感的电感量的计算 | 第49-52页 |
3.4.2 集成电感Q值的计算 | 第52-54页 |
3.4.3 集成电感的串联电阻分析 | 第54-55页 |
§3.5 小结 | 第55-56页 |
第四章 提高平面螺旋型集成电感Q值的新方法 | 第56-62页 |
§4.1 衬底涡流模拟 | 第56-58页 |
§4.2 实验 | 第58-59页 |
§4.3 结果与分析 | 第59-61页 |
§4.4 小结 | 第61-62页 |
第五章 新型的螺线管型集成电感的研究 | 第62-78页 |
§5.1 集成电感器的结构形式 | 第62-63页 |
§5.2 螺线管型集成电感的设计、工艺与测试 | 第63-71页 |
5.2.1 螺线管型集成电感的思想提出与工艺实现 | 第63-67页 |
5.2.2 螺线管型集成电感的结构优化和工艺改进 | 第67-71页 |
§5.3 螺线管型集成电感的测试结果与讨论 | 第71-77页 |
§5.4 小结 | 第77-78页 |
第六章 CMOS射频集成电路及器件的研究与分析 | 第78-98页 |
§6.1 CMOS射频集成电路研究现状 | 第78-88页 |
§6.2 射频CMOS模型 | 第88-96页 |
6.2.1 射频电路CMOS模型 | 第88-90页 |
6.2.2 现有模型比较 | 第90-91页 |
6.2.3 BSIM3模型 | 第91-94页 |
6.2.4 f_Υ | 第94-96页 |
§6.3 射频无源元件 | 第96-97页 |
§6.4 小结 | 第97-98页 |
第七章 CMOS分布放大器研究 | 第98-113页 |
§7.1 分布放大器原理与分析 | 第98-102页 |
§7.2 CMOS分布放大器的仿真设计 | 第102-105页 |
§7.3 电感的设计 | 第105-106页 |
§7.4 CMOS集成电路工艺 | 第106-109页 |
§7.5 分布放大器测试结果与分析 | 第109-112页 |
§7.6 小结 | 第112-113页 |
第八章 全文总结 | 第113-115页 |
参考文献 | 第115-131页 |
发表文章目录 | 第131页 |