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硅集成电感及CMOS射频集成电路研究

致谢第1-4页
中文摘要第4-11页
第一章 绪论第11-16页
 §1.1 21世纪硅微电子技术的发展第11-12页
 §1.2 通信技术热点及CMOS射频集成电路的出现第12-13页
 §1.3 选题背景第13-14页
 §1.4 论文的研究内容和结构第14-16页
第二章 硅集成电感的研究状况及其应用第16-27页
 §2.1 硅集成电感的结构和模型第16-18页
 §2.2 集成电感的Q值第18-22页
  2.2.1 关于Q值第18-19页
  2.2.2 串、并联网络的相互转换第19-20页
  2.2.3 硅集成电感的Q值第20-22页
 §2.3 硅集成电感的研究进展及提高Q值的方法第22-26页
 §2.4 电感的应用第26页
 §2.5 小结第26-27页
第三章 常规平面螺旋电感的传输线模型建立与实验研究第27-56页
 §3.1 S参数与传输线理论第27-37页
  3.1.1 传输线方程及其解第27-31页
  3.1.2 S参数与双端网络第31-34页
  3.1.3 双端网络参数的转换第34-37页
 §3.2 常规平面螺旋型电感的设计、制备及测试第37-41页
 §3.3 集成电感传输线模型与参数提取第41-49页
  3.3.1 集成电感传输线模型的建立第41-42页
  3.3.2 理想双端口传输线参数的提取第42-43页
  3.3.3 集成电感双端口传输线参数的提取第43-47页
  3.3.4 集成电感物理模型参数的提取和参数方程的建立第47-49页
 §3.4 集成电感测试计算结果与讨论第49-55页
  3.4.1 集成电感的电感量的计算第49-52页
  3.4.2 集成电感Q值的计算第52-54页
  3.4.3 集成电感的串联电阻分析第54-55页
 §3.5 小结第55-56页
第四章 提高平面螺旋型集成电感Q值的新方法第56-62页
 §4.1 衬底涡流模拟第56-58页
 §4.2 实验第58-59页
 §4.3 结果与分析第59-61页
 §4.4 小结第61-62页
第五章 新型的螺线管型集成电感的研究第62-78页
 §5.1 集成电感器的结构形式第62-63页
 §5.2 螺线管型集成电感的设计、工艺与测试第63-71页
  5.2.1 螺线管型集成电感的思想提出与工艺实现第63-67页
  5.2.2 螺线管型集成电感的结构优化和工艺改进第67-71页
 §5.3 螺线管型集成电感的测试结果与讨论第71-77页
 §5.4 小结第77-78页
第六章 CMOS射频集成电路及器件的研究与分析第78-98页
 §6.1 CMOS射频集成电路研究现状第78-88页
 §6.2 射频CMOS模型第88-96页
  6.2.1 射频电路CMOS模型第88-90页
  6.2.2 现有模型比较第90-91页
  6.2.3 BSIM3模型第91-94页
  6.2.4 f_Υ第94-96页
 §6.3 射频无源元件第96-97页
 §6.4 小结第97-98页
第七章 CMOS分布放大器研究第98-113页
 §7.1 分布放大器原理与分析第98-102页
 §7.2 CMOS分布放大器的仿真设计第102-105页
 §7.3 电感的设计第105-106页
 §7.4 CMOS集成电路工艺第106-109页
 §7.5 分布放大器测试结果与分析第109-112页
 §7.6 小结第112-113页
第八章 全文总结第113-115页
参考文献第115-131页
发表文章目录第131页

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