| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·异质结太阳能电池 | 第8-9页 |
| ·研究背景 | 第8页 |
| ·研究现状 | 第8-9页 |
| ·异质结太阳能电池的原理 | 第9-11页 |
| ·平面异质结 | 第10页 |
| ·径向异质结 | 第10-11页 |
| ·影响太阳能电池转化效率的因素 | 第11-12页 |
| ·以n型硅为衬底的异质结太阳能电池 | 第12页 |
| ·本文研究的内容及意义 | 第12-13页 |
| 本章小结 | 第13-14页 |
| 2 表征方法 | 第14-19页 |
| ·透射谱和反射谱的测量 | 第14-15页 |
| ·纳米线表面形貌的表征 | 第15页 |
| ·载流子浓度的测量 | 第15-17页 |
| ·Ⅳ、CV特性测量 | 第17-18页 |
| 本章小结 | 第18-19页 |
| 3 HWCVD法制备掺杂非晶硅薄膜 | 第19-24页 |
| ·HWCVD技术的发展史 | 第19-20页 |
| ·HWCVD方法沉积非晶硅膜的原理 | 第20-23页 |
| ·非晶硅薄膜沉积原理 | 第20-22页 |
| ·掺杂原理—硼烷的分解及硼基反应过程 | 第22-23页 |
| 本章小结 | 第23-24页 |
| 4 a-Si：H(P)/c-Si(N)平面异质结的制备与分析 | 第24-34页 |
| ·平面异质结的制备 | 第24-25页 |
| ·平面异质结的表征 | 第25-28页 |
| ·沉积速率 | 第25页 |
| ·载流子浓度 | 第25-26页 |
| ·Ⅳ、CV特性 | 第26-28页 |
| ·平面异质结Ⅳ特性分析及数值模拟 | 第28-32页 |
| ·双二极管模型 | 第28-29页 |
| ·分段拟合与参数提取 | 第29-30页 |
| ·拟合结果及分析 | 第30-32页 |
| ·平面异质结CV特性分析 | 第32-33页 |
| 本章小结 | 第33-34页 |
| 5 a-Si：H(P)/c-Si(N)径向异质结的制备与分析 | 第34-43页 |
| ·金属催化化学刻蚀法制备硅纳米线 | 第34-36页 |
| ·硅纳米线的介绍 | 第34-35页 |
| ·刻蚀机理 | 第35-36页 |
| ·径向异质结的制备 | 第36-37页 |
| ·径向异质结的表征 | 第37-39页 |
| ·径向异质结Ⅳ特性分析及数值模拟 | 第39-42页 |
| ·双二极管模型 | 第39-40页 |
| ·分段拟合与参数提取 | 第40-41页 |
| ·拟合结果及分析 | 第41-42页 |
| 本章小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第51页 |