| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-12页 |
| ·模拟及混合信号IC的现状 | 第9页 |
| ·RAIL-TO-RAIL运算放大器的发展概况 | 第9-10页 |
| ·低压低功耗CMOS RAIL-TO-RAIL运算放大器设计的意义 | 第10-11页 |
| ·CMOS RAIL-TO-RAIL运放芯片设计的重点 | 第11-12页 |
| ·CMOS运算放大器设计方法 | 第12-17页 |
| ·设计方法介绍 | 第12-13页 |
| ·运算放大器的性能参数 | 第13-14页 |
| ·本文的主要内容 | 第14-17页 |
| 第二章 RAIL-TO-RAIL运算放大器的分析与设计 | 第17-29页 |
| ·RAIL-TO-RAIL输入级的设计 | 第17-21页 |
| ·RAIL-TO-RAIL输出级的设计 | 第21-24页 |
| ·偏置电路的设计 | 第24-26页 |
| ·补偿电路的设计 | 第26-28页 |
| ·频率补偿 | 第26-27页 |
| ·运放的密勒补偿 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 带隙基准源电路的分析与设计 | 第29-35页 |
| ·带隙基准电压源电路的基本原理 | 第29-31页 |
| ·电流模式的曲率补偿带隙基准源电路设计 | 第31-32页 |
| ·带隙基准源电路中的运算放大器 | 第32-34页 |
| ·启动电路 | 第34-35页 |
| 第四章 OTP过温保护电路 | 第35-39页 |
| ·过温保护的基本原理 | 第35-36页 |
| ·过温保护电路的设计 | 第36-39页 |
| 第五章 工艺失效防护和器件选型 | 第39-49页 |
| ·多晶硅栅CMOS工艺简介 | 第39页 |
| ·工艺失效机制及其防护设计 | 第39-42页 |
| ·静电泄放 | 第39页 |
| ·电子迁移失效 | 第39页 |
| ·介质击穿 | 第39-40页 |
| ·天线效应 | 第40页 |
| ·干法腐蚀失效 | 第40页 |
| ·可动离子沾污失效 | 第40-41页 |
| ·负偏置温度不稳定性失效 | 第41页 |
| ·寄生沟道和电荷分散失效 | 第41页 |
| ·衬底去偏置失效 | 第41-42页 |
| ·集成工艺元器件 | 第42-49页 |
| ·电阻 | 第42-45页 |
| ·电容 | 第45-46页 |
| ·衬底PNP晶体管 | 第46-49页 |
| 第六章 版图匹配设计 | 第49-67页 |
| ·采取版图匹配设计的原因 | 第49页 |
| ·产生失配的原因和分析 | 第49-65页 |
| ·失配定量化 | 第49-50页 |
| ·失配机理及在版图设计中的解决方法 | 第50-65页 |
| ·随机变化 | 第50-53页 |
| ·电阻 | 第51页 |
| ·电容 | 第51-52页 |
| ·MOS晶体管 | 第52-53页 |
| ·工艺偏差 | 第53-54页 |
| ·互联寄生现象的防护 | 第54-55页 |
| ·刻蚀变化的防护 | 第55-57页 |
| ·杂质扩散的防护 | 第57页 |
| ·光刻效应的防护 | 第57-58页 |
| ·氢对金属层布局的作用 | 第58-59页 |
| ·应力效应和热效应的防护 | 第59-63页 |
| ·共质心结构设计 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第七章 版图ESD设计 | 第67-83页 |
| ·ESD失效机制 | 第67页 |
| ·ESD放电模型 | 第67-69页 |
| ·ESD放电测试 | 第69页 |
| ·ESD保护电路 | 第69-81页 |
| ·ESD保护电路的安排 | 第70页 |
| ·ESD保护设计准则 | 第70-71页 |
| ·不同类型器件的ESD特性 | 第71-72页 |
| ·传统的ESD保护电路 | 第72-73页 |
| ·电容耦合MOS晶体管结构ESD保护电路 | 第73-75页 |
| ·两级ESD保护电路 | 第75-76页 |
| ·LVTSCR ESD保护电路 | 第76-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第八章 运算放大器的仿真 | 第83-95页 |
| ·直流特性 | 第83-86页 |
| ·输入共模电压范围的仿真 | 第83-84页 |
| ·输出电压摆幅的仿真 | 第84页 |
| ·输入级跨导的仿真 | 第84-85页 |
| ·直流传输特性的仿真 | 第85-86页 |
| ·系统失调电压温度特性的仿真 | 第86页 |
| ·交流特性 | 第86-91页 |
| ·开环增益、单位增益带宽和相位裕度的仿真 | 第86-87页 |
| ·共模抑制比的仿真 | 第87-88页 |
| ·电源电压抑制比的仿真 | 第88-90页 |
| ·输出阻抗的仿真 | 第90-91页 |
| ·瞬态特性 | 第91-92页 |
| ·转换速率的仿真 | 第91页 |
| ·建立时间的仿真 | 第91-92页 |
| ·运算放大器等效输入噪声的仿真 | 第92页 |
| ·运算放大器功耗的仿真 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 总结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 在读期间发表论文情况 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
