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SiC单晶体超声线锯切割技术及实验研究

摘要第3-5页
abstract第5-6页
1 绪论第11-23页
    1.1 研究背景、目的及意义第11-13页
        1.1.1 研究背景第11-13页
        1.1.2 目的和意义第13页
    1.2 脆性材料切割技术的研究现状第13-20页
        1.2.1 金刚石圆盘锯切割第13-16页
        1.2.2 带锯切割第16页
        1.2.3 线锯切割第16-20页
    1.3 超声辅助脆性材料加工的研究现状第20-21页
    1.4 主要研究内容第21-23页
2 实验系统组成及加工参数范围确定第23-39页
    2.1 脆性材料切割的实验系统组成第23页
    2.2 脆性材料切割原理第23-24页
    2.3 主要实验仪器第24-27页
        2.3.1 切割机床第24页
        2.3.2 超声波发生器第24-25页
        2.3.3 锯切力测量系统第25-27页
    2.4 材料性能及实验方法第27-29页
    2.5 金刚石线锯性能试验第29-36页
        2.5.1 超声辅助线锯切割模型第29页
        2.5.2 线锯失效形式第29-34页
        2.5.3 磨粒破坏形式对切割性能的影响第34页
        2.5.4 切割方式对线锯磨损的影响第34-35页
        2.5.5 切削液对线锯磨损的影响第35-36页
    2.6 工艺参数范围初步确定第36-37页
    2.7 试验系统的安装与调试第37-38页
    2.8 本章小结第38-39页
3 金刚石线锯切割SiC单晶材料去除机理研究第39-59页
    3.1 经典硬脆材料去除机理第39-44页
        3.1.1 压痕断裂理论第39-41页
        3.1.2 脆塑转变力学模型第41-42页
        3.1.3 硬脆材料切削时裂纹生长及计算第42-44页
    3.2 线锯切割SIC单晶理论模型第44-48页
        3.2.1 线锯切割物理模型第44-45页
        3.2.2 线锯切割理论模型及振动动力学分析第45-48页
    3.3 线锯切割Si C单晶材料去除率研究第48-58页
        3.3.1 线锯切割Si C单晶材料去除机理第48-52页
        3.3.2 单颗磨粒的切削深度分析第52-54页
        3.3.3 单颗磨粒切削深度与切割工艺参数的关系第54-55页
        3.3.4 切割工艺参数对磨粒切削深度的影响第55-56页
        3.3.5 SiC单晶切割过程材料去除率模型第56-58页
    3.4 本章小结第58-59页
4 超声辅助线锯切割SiC单晶的材料去除机理第59-69页
    4.1 超声辅助切割Si C单晶的理论模型第59-60页
        4.1.1 线锯切割物理模型第59页
        4.1.2 超声线锯切割振动模型及动力学分析第59-60页
    4.2 超声辅助切割Si C单晶材料去除方式第60-61页
    4.3 超声辅助切割Si C单晶切割机理第61-68页
        4.3.1 线锯底部磨粒的切割过程第61-65页
        4.3.2 线锯两侧面磨粒的切割过程第65-68页
    4.4 本章小结第68-69页
5 超声辅助作用下锯切力理论分析及实验研究第69-85页
    5.1 锯切力数学模型第69-74页
        5.1.1 普通切割产生的锯切力第69-73页
        5.1.2 超声振动产生的锯切力第73页
        5.1.3 线锯所受总锯切力第73-74页
    5.2锯切力的单因素实验第74-78页
        5.2.1 超声振幅对锯切力的影响第74页
        5.2.2 线锯速度对锯切力的影响第74-75页
        5.2.3 工件进给速率对锯切力的影响第75-76页
        5.2.4 工件转速对锯切力的影响第76-77页
        5.2.5 线锯运动方向对锯切力的影响第77-78页
        5.2.6 线锯磨损对锯切力的影响第78页
    5.3 基于田口理论(TAGUCHI METHODS)的锯切力多因素实验第78-84页
        5.3.1 田口设计(Taguchi Methods)第78-79页
        5.3.2 经验公式模型的建立第79-80页
        5.3.3 锯切力的多因素实验第80-83页
        5.3.4 锯切力回归模型预测及验证第83-84页
    5.4 本章小结第84-85页
6 SiC单晶片表面形貌及粗糙度研究第85-101页
    6.1 SiC单晶片切割表面形成机理第85-86页
    6.2 晶片表面形貌及粗糙度测量第86-87页
    6.3 工艺参数对SiC单晶片表面粗糙度的影响第87-91页
        6.3.1 超声振幅对晶片表面粗糙度的影响第87-88页
        6.3.2 线锯速度对晶片表面粗糙度的影响第88页
        6.3.3 工件进给速率对晶片表面粗糙度的影响第88-89页
        6.3.4 工件转速对晶片表面粗糙度的影响第89-90页
        6.3.5 晶片半径方向上不同点处表面粗糙度第90-91页
    6.4 线径对切割效率和晶片质量的影响第91页
    6.5 线锯品质对切割效率和晶片质量的影响第91-93页
    6.6 切削液对晶片质量的影响第93页
    6.7 基于RSM的 SiC单晶片表面粗糙度建模及预测第93-99页
        6.7.1 响应曲面法(RSM)第94页
        6.7.2 经验公式模型的建立第94页
        6.7.3 实验方案及测试结果第94-97页
        6.7.4 响应曲面模型诊断第97页
        6.7.5 响应曲面分析第97-99页
        6.7.6 响应曲面分析模型预测及验证第99页
    6.8 本章小结第99-101页
7 单颗金刚石磨粒切割SiC单晶过程有限元仿真第101-109页
    7.1 ABAQUS软件及其相关准则第101-102页
    7.2 单颗磨粒切割SiC单晶有限元模型第102-103页
    7.3 切割过程动态仿真第103-105页
    7.4 工艺参数对切割过程的影响第105-108页
        7.4.1 刀具角度对切割过程的影响第105页
        7.4.2 工件进给速率对切割过程的影响第105-107页
        7.4.3 线速对切割过程的影响第107-108页
    7.5 加工表面形貌第108页
    7.6 本章小结第108-109页
8 结论与展望第109-111页
    8.1 结论第109-110页
    8.2 展望第110-111页
致谢第111-113页
参考文献第113-121页
攻读博士学位期间发表论文及项目第121-122页

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