| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 发光二极管的研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 非极性LED的研究意义 | 第11-14页 |
| 1.3 ZnO的基本性质 | 第14-16页 |
| 1.4 AlGaN的基本性质及研究背景 | 第16-18页 |
| 1.5 半导体薄膜的制备方法 | 第18-22页 |
| 1.6 LED中i-ZnO插入层的研究 | 第22-24页 |
| 1.7 本工作的研究目的和意义 | 第24-25页 |
| 2 实验过程及研究方法 | 第25-51页 |
| 2.1 LED器件的制备 | 第26-29页 |
| 2.1.1 MOCVD法生长AlGaN薄膜 | 第26-27页 |
| 2.1.2 PLD法生长ZnO薄膜 | 第27-28页 |
| 2.1.3 电极的制备 | 第28-29页 |
| 2.2 样品的制备方法 | 第29-37页 |
| 2.3 研究过程中涉及的透射电子显微学理论和方法 | 第37-50页 |
| 2.3.1 X射线能谱分析 | 第39-40页 |
| 2.3.2 高分辨透射电子显微术 | 第40-41页 |
| 2.3.3 扫描透射电子显微术及高角环形暗场像 | 第41-43页 |
| 2.3.4 选区电子衍射 | 第43-44页 |
| 2.3.5 电子全息术 | 第44-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 3 实验结果与讨论 | 第51-65页 |
| 3.1 p-n型及包含i-ZnO插入层LED器件的光电性能 | 第51-52页 |
| 3.2 p-n型及其i-ZnO插入层的成分和结构研究 | 第52-58页 |
| 3.3 异质结界面的电势分布 | 第58-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 4 总结与展望 | 第65-67页 |
| 4.1 总结 | 第65-66页 |
| 4.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文目录 | 第75页 |