| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·研究背景 | 第8-10页 |
| ·微压印技术概述 | 第9页 |
| ·硫系玻璃概述 | 第9页 |
| ·课题的目的和意义 | 第9-10页 |
| ·文献综述 | 第10-14页 |
| ·国外研究现状 | 第10-12页 |
| ·国内研究现状 | 第12-14页 |
| ·本文主要的研究工作 | 第14页 |
| ·本文的组织结构 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 2 技术原理 | 第16-26页 |
| ·研究方案及条件 | 第16-17页 |
| ·硫系玻璃的热压成型机理 | 第17-20页 |
| ·非晶态材料 | 第17-18页 |
| ·玻璃化温度附近非晶态固体的流变行为 | 第18-19页 |
| ·热压时材料表面的状态 | 第19-20页 |
| ·热压印工艺研究 | 第20-24页 |
| ·热压印模板 | 第21-22页 |
| ·热压印过程及主要工艺步骤 | 第22-24页 |
| ·技术条件和试验条件 | 第24页 |
| ·主要技术条件 | 第24页 |
| ·主要试验条件 | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 3 各项异性湿法腐蚀技术及模板制备工艺研究 | 第26-36页 |
| ·各项异性湿法腐蚀技术 | 第26-28页 |
| ·单晶硅各向异性腐蚀原理 | 第26-27页 |
| ·单晶硅湿法异向腐蚀常用腐蚀剂 | 第27-28页 |
| ·硅V型槽的制作 | 第28-34页 |
| ·实验设备及材料 | 第29页 |
| ·实验工艺步骤 | 第29-30页 |
| ·掩蔽层薄膜的沉积与图形化研究 | 第30-32页 |
| ·ICP等离子体刻蚀 | 第32页 |
| ·硅的湿法腐蚀 | 第32-33页 |
| ·实验结果及分析 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 4 锗砷硒玻璃的微压印研究 | 第36-57页 |
| ·适于微压印的新红外材料——锗砷硒玻璃(Ge_(33)As_(12)Se_(55)) | 第36-38页 |
| ·热压实验 | 第38-49页 |
| ·实验材料 | 第38页 |
| ·实验设备 | 第38-40页 |
| ·实验设计 | 第40-41页 |
| ·实验步骤 | 第41页 |
| ·实验结果 | 第41-44页 |
| ·分析与讨论 | 第44-49页 |
| ·正交法对热压工艺的优化 | 第49-56页 |
| ·正交法的意义与原理 | 第49-51页 |
| ·热压印正交实验中的因子和水平 | 第51页 |
| ·结果分析 | 第51-56页 |
| ·最佳工艺参数下热压结果 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 5 结论 | 第57-60页 |
| ·本文工作总结 | 第57页 |
| ·未来工作展望 | 第57-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |