| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 ISFET传感器简介 | 第11-15页 |
| 1.2.1 概述 | 第11-12页 |
| 1.2.2 ISFET传感器种类 | 第12-14页 |
| 1.2.3 ISFET传感器的基础应用简述 | 第14-15页 |
| 1.3 本文研究的目的及内容 | 第15-17页 |
| 第二章 ISFET的机理及理论模型研究 | 第17-30页 |
| 2.1 概述 | 第17-19页 |
| 2.2 电解液-绝缘体系统理论模型研究 | 第19-23页 |
| 2.2.1 表面基理论 | 第19-21页 |
| 2.2.2 双电层理论 | 第21-23页 |
| 2.3 基本MOSFET器件理论模型 | 第23-25页 |
| 2.4 基本ISFET器件理论模型 | 第25-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 ISFET的器件特性优化研究 | 第30-46页 |
| 3.1 TFT器件简介 | 第30-32页 |
| 3.2 关键材料的仿真模型 | 第32-35页 |
| 3.2.1 铁电材料的仿真模型 | 第32-34页 |
| 3.2.2 半导体材料的仿真模型 | 第34-35页 |
| 3.3 器件性能的优化技术研究 | 第35-43页 |
| 3.3.1 仿真方法的验证 | 第35-37页 |
| 3.3.2 源漏电极位置的优化研究 | 第37-38页 |
| 3.3.3 Fe ISFET的仿真研究 | 第38-43页 |
| 3.4 Fe ISFET的制备工艺流程研究 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 应用于ISFET的关键功能材料优化技术研究 | 第46-58页 |
| 4.1 铁酸铋薄膜优化技术简介 | 第46-52页 |
| 4.1.1 铁酸铋薄膜的制备工艺流程 | 第46-47页 |
| 4.1.2 退火操作对薄膜性能的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.3 适用于Fe ISFET的BFO薄膜优化方法研究 | 第48-52页 |
| 4.2 铁酸铋的漏电流机理研究 | 第52-55页 |
| 4.3 优化后的Fe ISFET器件特性仿真 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 5.1 论文的主要成果 | 第58-59页 |
| 5.2 论文的创新点 | 第59页 |
| 5.3 下一步工作的展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第65-66页 |