| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-14页 |
| 1.1.1 集成电路发展的硅片减薄需求 | 第9页 |
| 1.1.2 单晶硅的材料性质 | 第9-11页 |
| 1.1.3 硅片磨削减薄工艺 | 第11-13页 |
| 1.1.4 硅片工件旋转磨削加工的残余应力与损伤 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2.1 工件旋转磨削硅片的残余应力 | 第14-15页 |
| 1.2.2 工件旋转磨削硅片残余应力的测量方法 | 第15-17页 |
| 1.2.3 工件旋转磨削硅片的亚表面损伤 | 第17-18页 |
| 1.3 本课题的来源与研究内容 | 第18-20页 |
| 1.3.1 课题来源 | 第18页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第18-20页 |
| 2 基于载荷识别的反演计算方法 | 第20-26页 |
| 2.1 载荷识别模型的建立 | 第20-21页 |
| 2.2 反演计算在ANSYS中的实现方法 | 第21-23页 |
| 2.2.1 建立有限元模型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 优化分析过程设置 | 第22-23页 |
| 2.3 反演计算方法准确性的验证 | 第23-25页 |
| 2.3.1 应力载荷准确性验证 | 第23-24页 |
| 2.3.2 优化过程准确性验证 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 工件旋转磨削硅片表面残余应力的分布规律 | 第26-36页 |
| 3.1 硅片切割方案的确定 | 第26-28页 |
| 3.1.1 激光切割对面形的影响 | 第26-27页 |
| 3.1.2 样件切割尺寸与形状的确定 | 第27-28页 |
| 3.2 硅片磨削与面形测量实验 | 第28-32页 |
| 3.2.1 实验方案与步骤 | 第28-30页 |
| 3.2.2 切片面形数据的获得与处理 | 第30-32页 |
| 3.3 结果分析与讨论 | 第32-35页 |
| 3.3.1 整体面形与应力 | 第32页 |
| 3.3.2 反演面形的分布规律 | 第32-34页 |
| 3.3.3 应力状态的分布规律 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 工件旋转磨削条件对残余应力和损伤的影响 | 第36-51页 |
| 4.1 精磨条件下光磨加工对表面残余应力的影响 | 第36-40页 |
| 4.1.1 精磨实验方案 | 第36-37页 |
| 4.1.2 光磨与无光磨硅片整体面形与应力的对比 | 第37-38页 |
| 4.1.3 光磨与无光磨硅片应力分布的对比 | 第38-40页 |
| 4.2 粗磨条件下光磨加工对表面残余应力的影响 | 第40-44页 |
| 4.2.1 粗磨实验方案 | 第40-41页 |
| 4.2.2 光磨与无光磨硅片整体面形与平均应力的对比 | 第41页 |
| 4.2.3 光磨与无光磨硅片应力分布的对比 | 第41-44页 |
| 4.3 硅片亚表面损伤与残余应力的关系 | 第44-49页 |
| 4.3.1 表面损伤的角度截面显微检测 | 第44-47页 |
| 4.3.2 表面损伤的TEM检测 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |