| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第16-19页 |
| 1.2 改性Ge技术发展现状 | 第19-26页 |
| 1.2.1 张应变致Ge直接带隙技术 | 第20-23页 |
| 1.2.2 合金化致Ge直接带隙技术 | 第23-26页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第26-28页 |
| 第二章 Ge带隙类型转变理论研究 | 第28-46页 |
| 2.1 Ge带隙类型转化建模 | 第28-33页 |
| 2.1.1 Ge半导体应变张量 | 第28-32页 |
| 2.1.2 Ge半导体形变势 | 第32-33页 |
| 2.2 Ge带隙类型转化规律 | 第33-44页 |
| 2.2.1 仅应力作用 | 第33-38页 |
| 2.2.2 合金化作用 | 第38-42页 |
| 2.2.3 应力与合金化共作用 | 第42-44页 |
| 2.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 兼容Si工艺的选择外延致Ge直接带隙技术研究 | 第46-60页 |
| 3.1 线弹性材料理论模型 | 第46-48页 |
| 3.2 基于COMSOL的有限元理论 | 第48-50页 |
| 3.3 选择外延致Ge直接带隙方案分析 | 第50-58页 |
| 3.3.1 有限元仿真模型建立 | 第50-53页 |
| 3.3.2 外延层宽度对应变强度的影响 | 第53-54页 |
| 3.3.3 Ge组分对应变强度的影响 | 第54-57页 |
| 3.3.4 Ge台阶厚度对应变分布的影响 | 第57页 |
| 3.3.5 选择外延致Ge直接带隙方案 | 第57-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 改性Ge材料制备与表征 | 第60-78页 |
| 4.1 磁控溅射制备GeSn薄膜 | 第60-68页 |
| 4.1.1 实验方案 | 第60-62页 |
| 4.1.2 衬底温度对GeSn合金的影响 | 第62-63页 |
| 4.1.3 Sn靶材溅射功率对GeSn合金的影响 | 第63-66页 |
| 4.1.4 退火对GeSn表面粗糙度的影响 | 第66-67页 |
| 4.1.5 优化的GeSn合金制备方案 | 第67-68页 |
| 4.2 Si衬底上Ge缓冲层的制备与表征 | 第68-77页 |
| 4.2.1 Si衬底上Ge缓冲层的制备 | 第68-71页 |
| 4.2.2 Si衬底上Ge缓冲层的表征 | 第71-77页 |
| 4.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 结论与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 作者简介 | 第88-90页 |