| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1. SOI材料优势及制备方法概述 | 第9-13页 |
| 1.2. 高压SOI-pLDMOS器件发展及应用 | 第13-17页 |
| 1.3. 高压SOI-pLDMOS器件可靠性问题及研究现状 | 第17-21页 |
| 1.4. 本文的主要工作及创新 | 第21-25页 |
| 第二章 高压SOI-pLDMOS器件设计与制备工艺 | 第25-41页 |
| 2.1 高压SOI-pLDMOS器件结构设计 | 第25-33页 |
| 2.2 高压SOI-pLDMOS器件版图设计 | 第33-37页 |
| 2.3 高压SOI-pLDMOS器件制备与电学特性 | 第37-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 高压SOI-pLDMOS器件热载流子退化研究 | 第41-75页 |
| 3.1 I_(bmax)和I_(gmax)应力下SOI-pLDMOS退化机理研究 | 第41-47页 |
| 3.2 器件参数对SOI-pLDMOS热载流子退化的影响 | 第47-51页 |
| 3.3 环境温度对SOI-pLDMOS热载流子退化的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 SOI-pLDMOS器件的热载流子退化恢复效应 | 第52-55页 |
| 3.5 SOI-pLDMOS器件的热载流子退化寿命模型 | 第55-70页 |
| 3.6 长寿命SOI-pLDMOS器件优化设计 | 第70-72页 |
| 3.7 本章小结 | 第72-75页 |
| 第四章 高压SOI-pLDMOS器件dv/dt特性研究 | 第75-95页 |
| 4.1 高压SOI-pLDMOS器件dv/dt特性测试方法 | 第75-77页 |
| 4.2 高压SOI-pLDMOS器件dv/dt应力退化研究 | 第77-81页 |
| 4.3 高压SOI-pLDMOS器件dv/dt冲击失效研究 | 第81-83页 |
| 4.4 器件参数对SOI-pLDMOS dv/dt能力的影响 | 第83-87页 |
| 4.5 高压SOI-pLDMOS器件的dv/dt失效模型 | 第87-90页 |
| 4.6 高dv/dt能力SOI-pLDMOS器件优化设计 | 第90-92页 |
| 4.7 本章小结 | 第92-95页 |
| 第五章 高压SOI-pLDMOS器件ESD特性研究 | 第95-125页 |
| 5.1 高压SOI-pLDMOS器件的ESD响应特性 | 第95-102页 |
| 5.2 高压SOI-pLDMOS器件ESD冲击退化研究 | 第102-104页 |
| 5.3 器件参数对SOI-pLDMOS ESD鲁棒性的影响 | 第104-110页 |
| 5.4 高压SOI-pLDMOS器件的ESD响应模型 | 第110-119页 |
| 5.5 高鲁棒性SOI-pLDMOS器件优化设计 | 第119-122页 |
| 5.6 本章小结 | 第122-125页 |
| 第六章 SOI基高压显示驱动芯片设计及可靠性考核 | 第125-139页 |
| 6.1 SOI基高压显示驱动芯片设计 | 第125-130页 |
| 6.2 SOI基高压显示驱动芯片性能测试 | 第130-131页 |
| 6.3 SOI基高压显示驱动芯片可靠性考核及系统应用 | 第131-137页 |
| 6.4 本章小结 | 第137-139页 |
| 第七章 总结与展望 | 第139-143页 |
| 7.1 总结 | 第139-141页 |
| 7.2 展望 | 第141-143页 |
| 致谢 | 第143-145页 |
| 参考文献 | 第145-155页 |
| 博士期间取得成果 | 第155-157页 |
