| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-25页 |
| ·自旋电子学的建立 | 第13-18页 |
| ·GMR效应 | 第13-16页 |
| ·磁隧道结的TMR效应 | 第16-17页 |
| ·磁性颗粒膜的GMR效应 | 第17-18页 |
| ·典型自旋电子器件的商业化应用 | 第18-19页 |
| ·半导体自旋电子器件的研究 | 第19-21页 |
| ·论文组织及安排 | 第21-25页 |
| 第二章 Schmidt自旋注入理论 | 第25-33页 |
| ·自旋注入半导体的模型 | 第25-28页 |
| ·铁磁金属注入半导体产生的电导失配 | 第28-33页 |
| 第三章 实验样品的制备与测量 | 第33-41页 |
| ·薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·衬底清洗 | 第33页 |
| ·光刻 | 第33页 |
| ·磁控溅射 | 第33-34页 |
| ·样品的成分和结构测量 | 第34-35页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第34-35页 |
| ·高分辨透射电镜(HETEM) | 第35页 |
| ·样品的磁特性和输运特性 | 第35-40页 |
| ·磁性能测试 | 第35-39页 |
| ·输运特性测量 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第四章 CoZnO非匀质铁磁性半导体的制备及输运特性 | 第41-55页 |
| ·样品制备 | 第41-42页 |
| ·成分表征和结构分析 | 第42-44页 |
| ·样品的磁特性 | 第44-47页 |
| ·输运特性 | 第47-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第五章 铁磁性半导体CoZnO注入宽禁带半导体ZnO | 第55-69页 |
| ·样品制备 | 第56-58页 |
| ·实验结果 | 第58-60页 |
| ·对于磁电阻的讨论 | 第60-63页 |
| ·铁磁金属的各向异性磁电阻的影响 | 第60-61页 |
| ·单层铁磁半导体CoZnO的磁电阻的影响 | 第61-62页 |
| ·铁磁性金属注入效应的影响 | 第62-63页 |
| ·电流自旋极化率的计算 | 第63-65页 |
| ·总结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第六章 新型铁磁性半导体／非磁金属／铁磁性半导体结的自旋注入分析 | 第69-91页 |
| ·热电子注入器件的提出 | 第69-70页 |
| ·自旋阀三极管原理 | 第70-72页 |
| ·理论模型和计算 | 第72-75页 |
| ·偏压相关的电流自旋极化率和磁电阻以及自旋过滤效应 | 第75-87页 |
| ·铁磁性半导体的自旋极化率β对器件特性的影响 | 第76-79页 |
| ·自旋相关的Schottky势垒高度差ΔΦ_B对器件特性的影响 | 第79-83页 |
| ·铁磁性半导体的电导率σ_(msc)对器件特性的影响 | 第83-85页 |
| ·铁磁性半导体与金属间Schottky势垒高度Φ_B~′对器件特性的影响 | 第85-87页 |
| ·总结 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 发表的学术文章目录 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第94页 |
