基于BSIM3的0.5μm工艺CMOS器件建模及纳米级RF器件STI应力的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·MOSFET紧凑模型 | 第10-12页 |
| ·MOSFET模型研究现状 | 第10-12页 |
| ·MOS场效应管模型发展趋势 | 第12页 |
| ·论文的结构和内容 | 第12-14页 |
| 第2章 MOSFET基本理论及BSIM3模型 | 第14-47页 |
| ·MOSFET的基本特性 | 第14-22页 |
| ·MOSFET基本特性 | 第14-20页 |
| ·MOSFET的分类 | 第20页 |
| ·阈值电压的控制 | 第20-22页 |
| ·BSIM3模型 | 第22-45页 |
| ·阈值电压模型 | 第24-27页 |
| ·载流子迁移率模型 | 第27-28页 |
| ·有效沟道长度和宽度模型 | 第28-29页 |
| ·漏极电流模型 | 第29-33页 |
| ·输出电阻模型 | 第33-36页 |
| ·衬底电流模型 | 第36-37页 |
| ·源/体和漏/体二极管模型 | 第37-38页 |
| ·电容模型 | 第38-43页 |
| ·温度效应 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第3章 MOSFET直流参数的提取与优化 | 第47-65页 |
| ·MOSFET本征C-V建模方法 | 第51-52页 |
| ·C-V曲线测试 | 第51页 |
| ·C-V参数提取方法及结果 | 第51-52页 |
| ·MOSFET DC建模 | 第52-55页 |
| ·DC曲线测试 | 第52-54页 |
| ·DC参数提取方法 | 第54-55页 |
| ·模型参数提取仿真的结果及分析 | 第55-63页 |
| ·模型验证 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 STI应力对器件直流特性的影响 | 第65-72页 |
| ·STI工艺及结构 | 第65-66页 |
| ·STI应力的作用机制 | 第66-69页 |
| ·x应力的作用机制 | 第67-68页 |
| ·y应力的作用机制 | 第68-69页 |
| ·STIW对器件直流特性的影响 | 第69-70页 |
| ·器件结构设计和测试环境 | 第69页 |
| ·测试数据获取与讨论 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第5章 总结和展望 | 第72-74页 |
| ·总结 | 第72页 |
| ·展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 附录 | 第79页 |
