大功率GaN基LED用SiC衬底刻蚀工艺研究
| Abstract | 第1-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·LED简介 | 第8-10页 |
| ·SiC的基本性质 | 第10-14页 |
| ·SiC的基本结构 | 第10-12页 |
| ·SiC的电学性质 | 第12-13页 |
| ·SiC的光学性质 | 第13页 |
| ·SiC的其它性质 | 第13-14页 |
| ·SiC的发展历史及现状 | 第14页 |
| ·SiC的制备方法 | 第14-16页 |
| ·SiC在器件上的应用 | 第16-18页 |
| 2 SiC的刻蚀 | 第18-28页 |
| ·湿法刻蚀 | 第18-19页 |
| ·干法刻蚀 | 第19-28页 |
| ·反应离子(RIE)刻蚀 | 第20-22页 |
| ·电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀 | 第22-23页 |
| ·感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 | 第23-26页 |
| ·干法刻蚀气体介绍 | 第26-28页 |
| 3 正交试验设计刻蚀SiC | 第28-33页 |
| ·正交试验设计 | 第28-30页 |
| ·正交试验中的基本概念 | 第28-29页 |
| ·正交试验发展历史 | 第29页 |
| ·正交试验的意义 | 第29页 |
| ·正交试验步骤 | 第29-30页 |
| ·交实验参数的选取 | 第30-33页 |
| ·实验简介 | 第30-31页 |
| ·SF_6和O_2刻蚀SiC机理 | 第31页 |
| ·实验参数选取 | 第31-33页 |
| 4 实验结果与分析 | 第33-43页 |
| ·正交试验结果与分析 | 第33-36页 |
| ·SiC刻蚀速度 | 第33-34页 |
| ·SiC刻蚀表面缺陷密度 | 第34-36页 |
| ·影响SiC刻蚀速度和表面缺陷的分析 | 第36-41页 |
| ·ICP源功率的影响 | 第36-37页 |
| ·ICP偏压功率的影响 | 第37-38页 |
| ·反应室压强的影响 | 第38-39页 |
| ·气体总流量的影响 | 第39-40页 |
| ·气体混合比的影响 | 第40-41页 |
| ·对SiC刻蚀工艺参数的优化 | 第41-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
