| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 半导体器件中的载流子输运 | 第8-13页 |
| ·经典输运模型: 漂移—扩散模型 | 第8-9页 |
| ·传统量子输运模型: 密度梯度模型 | 第9-10页 |
| ·非平衡格林函数的引入 | 第10-11页 |
| ·本论文的目的和意义 | 第11-13页 |
| 第二章 非平衡格林函数方法 | 第13-26页 |
| ·简介 | 第13页 |
| ·自洽方程组及基本解 | 第13-19页 |
| ·Büttiker探针散射模型 | 第19-21页 |
| ·边界条件的确定 | 第21-23页 |
| ·实空间和模空间的讨论 | 第23-26页 |
| 第三章 非平衡格林函数方法对纳米量级MOS器件的应用 | 第26-45页 |
| ·器件模型结构 | 第26-27页 |
| ·弹道输运模型的模拟结果 | 第27-39页 |
| ·器件在平衡状态下的性质 | 第27-34页 |
| ·器件在非平衡状态下的性质 | 第34-39页 |
| ·Büttiker探针散射模型的模拟结果 | 第39-42页 |
| ·态密度能谱分布图 | 第42-45页 |
| 第四章 对纳米量级双栅MOS开启电压的研究 | 第45-59页 |
| ·简介 | 第45-46页 |
| ·窄沟效应 | 第46-50页 |
| ·短沟效应 | 第50-53页 |
| ·氧化层厚度的影响 | 第53-55页 |
| ·总的效应 | 第55-56页 |
| ·讨论 | 第56-58页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-64页 |
| ·全文总结 | 第59-60页 |
| ·将来的工作 | 第60-64页 |
| ·掺杂浓度的问题 | 第60-62页 |
| ·模空间带来的问题 | 第62-63页 |
| ·有待解释的现象 | 第63页 |
| ·处理散射的问题 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |