阵列式硅压力加速度传感器研究
| 第1章 绪论 | 第1-12页 |
| ·课题背景及意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究状况 | 第10-11页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第2章 阵列式硅压力、加速度传感器的设计与制作 | 第12-37页 |
| ·硅压力、加速度传感器的工作原理 | 第13-21页 |
| ·单晶硅的压阻效应 | 第13-16页 |
| ·硅压力膜片的应力分布 | 第16-19页 |
| ·硅加速度传感器工作原理 | 第19-21页 |
| ·阵列式硅压阻压力、加速度传感器的设计 | 第21-31页 |
| ·压力阵列的设计 | 第21-26页 |
| ·加速度元件的设计 | 第26-28页 |
| ·阵列式压力传感器信号处理电路的设计 | 第28-31页 |
| ·阵列式硅压力、加速度传感器的工艺技术研究 | 第31-36页 |
| ·半导体平面工艺技术 | 第31-32页 |
| ·CMOS信号处理电路的工艺技术 | 第32-33页 |
| ·硅的各向异性腐蚀技术 | 第33-34页 |
| ·加速度传感器的制备工艺 | 第34页 |
| ·阵列式压力、加速度传感器的封装技术 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 阵列式硅压力、加速度传感器的信号处理 | 第37-41页 |
| ·基本原理 | 第38-39页 |
| ·数据的采集、储存、传递和补偿 | 第39-40页 |
| ·特征数据的采集、储存和补偿功能 | 第39页 |
| ·过程数据的传递 | 第39-40页 |
| ·操作数据的储存和传递 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 非线性自校正技术 | 第41-49页 |
| ·查表法 | 第42-44页 |
| ·曲线拟合法 | 第44-47页 |
| ·测试结果 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 温度漂移补偿技术 | 第49-60页 |
| ·多段折线逼近法 | 第49-57页 |
| ·传感器的零位温漂补偿 | 第49-50页 |
| ·传感器灵敏度温度漂移的补偿 | 第50-53页 |
| ·综合补偿程序框图 | 第53-54页 |
| ·补偿计算 | 第54-57页 |
| ·曲线拟合法法 | 第57-59页 |
| ·补偿原理 | 第57-58页 |
| ·补偿步骤 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第6章 数据的融合处理 | 第60-65页 |
| ·数据融合 | 第60页 |
| ·融合算法 | 第60-63页 |
| ·测试结果 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历 | 第71页 |
