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集成电路单粒子效应建模与加固方法研究

摘要第1-14页
ABSTRACT第14-16页
第一章 绪论第16-42页
   ·课题研究背景第16-25页
     ·抗辐照集成电路的应用需求第16-18页
     ·辐射环境第18-21页
     ·电离辐射效应第21-25页
   ·单粒子效应的研究现状第25-37页
     ·机理的研究第25-26页
     ·建模和模拟技术的研究第26-30页
     ·加固方法的研究第30-36页
     ·相关研究存在的不足第36-37页
   ·本文的研究内容第37-38页
   ·本文的主要贡献第38-39页
   ·论文的组织结构第39-42页
第二章 抗 SEU 加固存储单元设计第42-50页
   ·相关工作第42-43页
   ·新型的SEU 加固存储单元第43-46页
     ·加固存储单元结构第43-45页
     ·正常操作第45页
     ·翻转后的恢复第45-46页
   ·模拟和比较第46-49页
   ·本章小结第49-50页
第三章 电荷共享的温度相关性及对存储单元的影响第50-70页
   ·介绍第50页
   ·模拟的流程和设置第50-53页
   ·电荷共享温度相关性的模拟研究第53-60页
     ·模拟结果第53-56页
     ·讨论第56-60页
   ·存储单元中MBU 和MNU 的模拟研究第60-66页
     ·SRAM 单元中的 MBU第60-62页
     ·加固存储单元中的MNU第62-66页
   ·电荷共享的加固方法第66-68页
     ·增加距离第66页
     ·插入保护环第66-68页
     ·版图形式第68页
   ·本章小结第68-70页
第四章 超深亚微米工艺下电路级SET 脉冲的耦合注入第70-82页
   ·介绍第70页
   ·超深亚微米工艺下的SET 脉冲第70-73页
     ·耦合的和独立的SET 脉冲建模方法第70-71页
     ·与电路响应耦合的电荷收集第71-73页
   ·基于LUT 的SET 的耦合模型第73-76页
     ·瞬时电流和电压的关系第73页
     ·IHI 的建模第73-74页
     ·LUT 的构造第74-76页
   ·SPICE 中的实现第76-77页
     ·在SPICE 中加入二维LUT 电流源器件第76-77页
     ·使用二维LUT 电流源的SPICE 模拟第77页
   ·实验及结果第77-80页
   ·本章小结第80-82页
第五章 SERAR:组合逻辑中SET 重汇聚分析方法第82-102页
   ·介绍第82页
   ·SET 软错误率分析的数学模型第82-87页
     ·基本定义和假设第83-84页
     ·输入向量第84页
     ·原始错误生成第84页
     ·逻辑屏蔽计算第84-86页
     ·电气屏蔽计算第86页
     ·基于概率的锁存窗口屏蔽计算第86-87页
   ·SET 重汇聚的分析技术第87-93页
     ·2 输入逻辑门的重汇聚分析第87-91页
     ·N 输入逻辑门上的重汇聚分析第91-93页
   ·SET 重汇聚及对软错误率的影响第93-94页
   ·SERAR 的实现第94-95页
   ·实验与比较第95-100页
     ·实验条件设置第95-96页
     ·软错误结果第96-100页
     ·时间空间代价及分析第100页
   ·本章小结第100-102页
第六章 基于PD SOI 工艺的抗辐照SRAM 设计第102-114页
   ·介绍第102页
   ·SOI 器件的结构特点第102-103页
   ·SOI SRAM 设计第103-107页
     ·电路设计第103-105页
     ·版图第105-106页
     ·模拟验证及特征化第106-107页
   ·抗辐照加固设计第107-110页
     ·SOI 器件中的辐射损伤第107-108页
     ·抗辐照加固设计第108-110页
   ·SRAM 的流片及测试第110-112页
   ·本章小结第112-114页
第七章 总结第114-118页
   ·工作总结第114-115页
   ·工作展望第115-118页
致谢第118-120页
参考文献第120-131页
作者在学期间取得的学术成果第131-133页
附录A SPICEdev 数据结构定义第133-134页

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