极大规模集成电路铜化学机械抛光液及平坦化工艺的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·研究背景 | 第9-14页 |
| ·金属布线材料 | 第9-10页 |
| ·ULSI铜互连线技术及大马士革工艺 | 第10-12页 |
| ·化学机械抛光(CMP)技术 | 第12-14页 |
| ·ULSI铜化学机械抛光液的研究现状 | 第14-16页 |
| ·课题来源、学术思想及预期达到的成果 | 第16-17页 |
| ·主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 实验方案的确定 | 第18-37页 |
| ·铜CMP材料去除机理与主要影响因素 | 第18-25页 |
| ·铜CMP材料去除机理 | 第18页 |
| ·主要影响因素 | 第18-25页 |
| ·总体试验方案 | 第25-26页 |
| ·铜试样的制备 | 第26-29页 |
| ·试验仪器 | 第29-36页 |
| ·材料去除率的测量方法与仪器 | 第29-30页 |
| ·化学机械抛光试验平台 | 第30页 |
| ·工件的夹持方案 | 第30-31页 |
| ·表面形貌及粗糙度的测量方法与仪器 | 第31-32页 |
| ·Tafel极化曲线测量装置 | 第32-35页 |
| ·磨料团聚行为的检测 | 第35页 |
| ·粘度的测量方法与仪器 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 3 抛光液的制备 | 第37-48页 |
| ·ADS与NP-10的单独和协同作用 | 第37-42页 |
| ·试验条件及安排 | 第37页 |
| ·试验结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·NP-10浓度变化对Cu-CMP的影响 | 第42-47页 |
| ·试验条件及安排 | 第42页 |
| ·试验结果与讨论 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 化学机械抛光的研究 | 第48-66页 |
| ·ADS和NP-10对抛光结果的影响 | 第48-53页 |
| ·试验安排 | 第48页 |
| ·抛光试验 | 第48-53页 |
| ·NP-10浓度的改变对抛光结果的影响 | 第53-55页 |
| ·试验安排 | 第53页 |
| ·抛光试验 | 第53-55页 |
| ·抛光压力的影响 | 第55-57页 |
| ·试验安排 | 第55页 |
| ·抛光试验 | 第55-57页 |
| ·抛光速率的影响 | 第57-59页 |
| ·试验安排 | 第57页 |
| ·抛光试验 | 第57-59页 |
| ·抛光液流量的影响 | 第59-61页 |
| ·试验安排 | 第59页 |
| ·抛光试验 | 第59-61页 |
| ·抛光时间的影响 | 第61-63页 |
| ·试验安排 | 第61页 |
| ·抛光试验 | 第61-63页 |
| ·优化抛光工艺确定 | 第63-64页 |
| ·试验条件及选定工艺参数 | 第63页 |
| ·抛光试验 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
