基于IVC和门替换的集成电路抗NBTI老化研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第18-19页 |
| 1.4 论文的组织 | 第19-20页 |
| 第二章 研究工作基础 | 第20-30页 |
| 2.1 NBTI效应及建模 | 第20-25页 |
| 2.1.1 NBTI效应 | 第20-22页 |
| 2.1.2 NBTI效应的建模 | 第22-25页 |
| 2.2 考虑NBTI效应的静态分析方法 | 第25-27页 |
| 2.3 NBTI效应的防护技术 | 第27-30页 |
| 2.3.1 输入向量控制技术 | 第27-28页 |
| 2.3.2 门替换方法 | 第28-30页 |
| 第三章 考虑关键门可防护性的门替换方法抗电路老化 | 第30-42页 |
| 3.1 相关工作介绍 | 第30-31页 |
| 3.2 门的可防护性 | 第31-35页 |
| 3.3 可防护性约束下的关键门识别 | 第35-38页 |
| 3.4 实验结果及分析 | 第38-41页 |
| 3.4.1 实验条件设置 | 第38-39页 |
| 3.4.2 实验结果分析 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 最优输入向量选取优化电路老化 | 第42-56页 |
| 4.1 相关工作介绍 | 第42-46页 |
| 4.2 最优输入向量选取问题 | 第46-47页 |
| 4.3 本文最优输入向量选取方法 | 第47-49页 |
| 4.4 输入向量控制与门替换结合的分析流程 | 第49-51页 |
| 4.4.1 识别关键门 | 第49-51页 |
| 4.4.2 最优输入向量的选取 | 第51页 |
| 4.5 实验结果及分析 | 第51-55页 |
| 4.5.1 实验设置 | 第51-52页 |
| 4.5.2 实验结果及分析 | 第52-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第56-57页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士期间的学术活动及成果情况 | 第62页 |
