| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-36页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 薄膜/铁电单晶异质结的界面耦合机制 | 第9-14页 |
| 1.2.1 晶格应变效应 | 第9-11页 |
| 1.2.2 界面电荷效应 | 第11-14页 |
| 1.2.3 交换偏置效应 | 第14页 |
| 1.3 薄膜/铁电单晶异质结的研究进展 | 第14-25页 |
| 1.3.1 锰氧化物薄膜/铁电单晶异质结 | 第15-18页 |
| 1.3.2 铁氧体薄膜/铁电单晶异质结 | 第18-19页 |
| 1.3.3 铁磁金属或合金薄膜/铁电单晶异质结 | 第19-21页 |
| 1.3.4 稀磁半导体薄膜/铁电单晶异质结 | 第21-22页 |
| 1.3.5 其它类薄膜/铁电单晶异质结 | 第22-25页 |
| 1.4 Bi2Te_3的晶体结构及其物性 | 第25-29页 |
| 1.4.1 晶体结构 | 第26页 |
| 1.4.2 反弱局域化效应 | 第26-27页 |
| 1.4.3 Bi2Te_3的研究进展 | 第27-29页 |
| 1.5 SrIrO_3的晶体结构及其物性 | 第29-33页 |
| 1.5.1 晶体结构 | 第29-30页 |
| 1.5.2 自旋-轨道耦合效应 | 第30页 |
| 1.5.3 SrIrO_3的研究进展 | 第30-33页 |
| 1.6 铌镁酸铅钛酸铅单晶(PMN-PT) | 第33-34页 |
| 1.7 本论文的研究意义和内容 | 第34-36页 |
| 1.7.1 本论文的研究意义 | 第34页 |
| 1.7.2 本论文的研究内容 | 第34-35页 |
| 1.7.3 本论文的结构 | 第35-36页 |
| 第二章 样品的制备和性能表征 | 第36-54页 |
| 2.1 样品的制备 | 第36-43页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积技术(Pulsed Laser Deposition,PLD) | 第36-41页 |
| 2.1.2 小型离子溅射仪 | 第41页 |
| 2.1.3 放电等离子烧结技术(Spark Plasma Sintering,SPS) | 第41-43页 |
| 2.2 样品的微结构和成分表征 | 第43-49页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(X-Ray Diffraction,XRD) | 第43-45页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜技术(Transmission Electron Microscope,TEM) | 第45-46页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM) | 第46-47页 |
| 2.2.4 原子力显微镜技术(Atomic Force Microscope,AFM) | 第47-49页 |
| 2.3 样品的物理性能表征 | 第49-53页 |
| 2.3.1 宏观铁电性与压电性能的测量 | 第49-50页 |
| 2.3.2 综合物性测量系统(Physical Property Measurement System,PPMS) | 第50-52页 |
| 2.3.3 超导量子干涉仪(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID) | 第52-53页 |
| 2.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第三章 Bi_(2-x)Cr_xTe_3/PMN-PT异质结电磁性能研究 | 第54-78页 |
| 3.1 引言 | 第54-55页 |
| 3.2 样品制备及基本性能表征 | 第55-60页 |
| 3.2.1 样品靶材的制备 | 第55-56页 |
| 3.2.2 薄膜的制备和结构表征 | 第56-60页 |
| 3.3 BCT014薄膜电输运性能的原位调控 | 第60-72页 |
| 3.3.1 界面电荷效应对薄膜电学性能的影响 | 第60-62页 |
| 3.3.2 金属-绝缘体转变现象 | 第62-64页 |
| 3.3.3 低温电阻上翘现象 | 第64-67页 |
| 3.3.4 界面电荷效应对薄膜磁电阻的影响 | 第67-72页 |
| 3.4 Cr的掺杂量对薄膜磁电阻效应的影响 | 第72-76页 |
| 3.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 SrIrO_3/PMN-PT异质结电磁性能研究 | 第78-101页 |
| 4.1 引言 | 第78-79页 |
| 4.2 样品制备及结构表征 | 第79-85页 |
| 4.2.1 SrIrO_3陶瓷靶材的制备 | 第79-80页 |
| 4.2.2 SrIrO_3薄膜的制备和结构表征 | 第80-85页 |
| 4.3 外加电场诱导的晶格应变对薄膜电输运性能的调控 | 第85-93页 |
| 4.3.1 晶格应变效应对薄膜电阻的影响 | 第85-89页 |
| 4.3.2 逆压电效应和电场诱导的结构相变对SrIrO_3薄膜电学性能的影响 | 第89-92页 |
| 4.3.3 晶格应变对薄膜磁电阻效应的影响 | 第92-93页 |
| 4.4 薄膜厚度对SrIrO_3/PMN-PT(001)异质结电磁性能的影响 | 第93-99页 |
| 4.4.1 薄膜厚度对SrIrO_3薄膜电学性能的影响 | 第93-98页 |
| 4.4.2 薄膜厚度对SrIrO_3薄膜磁学性能的影响 | 第98-99页 |
| 4.5 本章小结 | 第99-101页 |
| 第五章 总结与展望 | 第101-104页 |
| 5.1 本论文总结 | 第101-102页 |
| 5.2 展望与建议 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-112页 |
| 攻读硕士学位期间所获得的成果 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-117页 |
| 附件 | 第117页 |
