| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·GaN 材料与其异质结 | 第8-10页 |
| ·GaN 材料的介绍 | 第8页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结 | 第8-10页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的研究现状与进展 | 第10-14页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的研究现状 | 第10-13页 |
| ·国际上AlGaN/GaN HEMT 器件的研究进展 | 第13-14页 |
| ·国内对GaN 基HEMT 器件的研究进展 | 第14页 |
| ·本文的研究意义以及工作安排 | 第14-16页 |
| ·本文的研究意义 | 第14-15页 |
| ·本文的工作安排 | 第15-16页 |
| 第二章 GaN 基HEMT 器件的基本原理 | 第16-26页 |
| ·GaN 基材料的极化掺杂效应 | 第16-19页 |
| ·极化掺杂效应 | 第16-18页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结中2DEG 理论分析 | 第18-19页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 工作原理 | 第19-22页 |
| ·HEMT 器件工作原理 | 第19-20页 |
| ·器件直流特性 | 第20-21页 |
| ·器件频率特性 | 第21-22页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 迁移率分析 | 第22-25页 |
| ·2DEG 迁移率受势垒层Al 组分含量的影响 | 第23-24页 |
| ·2DEG 迁移率受势垒层厚度的影响 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章HEMT 器件的基本模型和基本特性 | 第26-40页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的仿真软件 | 第26-27页 |
| ·SILVACO 软件介绍 | 第26页 |
| ·GaN 基HEMT 仿真的基本要求 | 第26-27页 |
| ·HEMT 器件仿真的模型与研究方法 | 第27-32页 |
| ·GaN 材料模型及相关参数 | 第27-30页 |
| ·HEMT 器件模型和仿真方法 | 第30-31页 |
| ·HEMT 器件仿真电极的设定 | 第31-32页 |
| ·结构参数对HEMT 器件性能的影响 | 第32-38页 |
| ·势垒层Al 组分的影响 | 第32-33页 |
| ·栅长Lg 的影响 | 第33-35页 |
| ·势垒层厚度d 的影响 | 第35-37页 |
| ·栅源间距的影响 | 第37-38页 |
| ·本章小节 | 第38-40页 |
| 第四章 GaN 基 HEMT 器件比例缩小规律的研究 | 第40-56页 |
| ·器件按比例缩小规律-研究方案I | 第40-45页 |
| ·研究器件按比例缩小规律的基本要求 | 第40-42页 |
| ·仿真方案 | 第42-45页 |
| ·数值仿真 | 第45-48页 |
| ·器件按比例缩小对直流特性的影响 | 第45-46页 |
| ·器件按比例缩小对频率特性的影响 | 第46-48页 |
| ·器件按比例缩小规律-研究方案Ⅱ | 第48-52页 |
| ·结论性验证 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结束语 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |