| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 课题相关背景介绍 | 第5-11页 |
| 1.1 半导体产业发展概况 | 第5-6页 |
| 1.2 浅槽隔离层技术产生背景 | 第6-8页 |
| 1.3 课题的提出 | 第8-10页 |
| 1.4 论文结构 | 第10-11页 |
| 第二章 干法刻蚀工艺与量测机台介绍 | 第11-20页 |
| 2.1 干法刻蚀的原理 | 第11-13页 |
| 2.2 介质层干法刻蚀的要求 | 第13页 |
| 2.3 介质层的干法刻蚀 | 第13-15页 |
| 2.3.1 刻蚀的反应气体 | 第13-14页 |
| 2.3.2 介质层刻蚀的选择比 | 第14-15页 |
| 2.4 典型刻蚀腔体构成 | 第15-17页 |
| 2.5 干法刻蚀设备与目前现状 | 第17-18页 |
| 2.6 研究底部粗糙度量测机台介绍 | 第18-19页 |
| 2.6.1 原子力扫描探针显微镜AFM功能原理介绍 | 第18-19页 |
| 2.6.2 扫描电子显微镜SEM功能原理介绍 | 第19页 |
| 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 浅槽隔离刻蚀底部粗糙度的改善 | 第20-39页 |
| 3.1 浅槽隔离层工艺分解 | 第20-22页 |
| 3.2 底部粗糙度课题研究背景 | 第22-25页 |
| 3.3 LAM9400 DFM与LAM9400 PTX差异性分析 | 第25-30页 |
| 3.4 针对LAM9400 PTX机型底部粗糙度改善 | 第30-38页 |
| 3.5 底部粗糙度工程流片验证 | 第38页 |
| 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 浅槽隔离层刻蚀缺陷硅残留的改善 | 第39-47页 |
| 4.1 硅残留研究背景 | 第39-40页 |
| 4.2 硅残留问题分析与改善 | 第40-44页 |
| 4.3 针对硅残留及其他缺陷的预防措施 | 第44-46页 |
| 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 浅槽隔离层刻蚀深度问题所导致的良率改善 | 第47-56页 |
| 5.1 浅槽隔离刻蚀深度问题背景 | 第47-52页 |
| 5.2 浅槽隔离刻蚀分步实验设计与改善 | 第52-55页 |
| 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
