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0.18μm抗辐射标准单元库的设计与实现

摘要第8-9页
ABSTRACT第9页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 课题背景及意义第10-11页
    1.2 国内外现状第11-14页
        1.2.1 标准单元库发展现状第11-13页
        1.2.2 辐射环境的研究第13-14页
    1.3 研究的主要内容第14-15页
    1.4 论文结构安排第15-16页
第二章 标准单元库的基本理论第16-31页
    2.1 标准单元库的建库流程第16-17页
    2.2 电路图库的设计第17-22页
        2.2.1 技术文件的介绍第17页
        2.2.2 电路图设计尺寸的确定第17-22页
    2.3 版图库设计第22-30页
        2.3.1 版图的设计规则第22-24页
        2.3.2 版图的一般画法第24-28页
        2.3.3 版图的验证第28-30页
    2.4 小结第30-31页
第三章 抗辐射单元的设计第31-41页
    3.1 辐射的类型第31-33页
        3.1.1 总剂量效应的基本原理第31-32页
        3.1.2 单粒子效应的基本原理第32-33页
    3.2 抗单粒子翻转的单元设计第33-40页
        3.2.1 DICE单元的电路图第34-35页
        3.2.2 VOTER电路图和版图第35-38页
        3.2.3 三互锁存单元结构的DFF电路图和版图第38-40页
    3.3 小结第40-41页
第四章 单元库的表征和提取第41-55页
    4.1 时序库的表征第41-48页
        4.1.1 时序参数的介绍第41-42页
        4.1.2 一般单元表征的过程第42-47页
        4.1.3 部分特殊单元表征的过程第47-48页
    4.2 物理库的提取第48-54页
        4.2.1 LEF文件的介绍第49-52页
        4.2.2 抽象的步骤第52-54页
    4.3 小结第54-55页
第五章 单元库验证第55-69页
    5.1 AGC的工作原理第55-56页
    5.2 综合流程第56-57页
    5.3 布局布线流程第57-67页
    5.4 门级仿真验证第67-68页
    5.5 小结第68-69页
第六章 总结与展望第69-70页
    6.1 总结第69页
    6.2 未解决的问题和以后工作展望第69-70页
参考文献第70-74页
致谢第74-75页
附件第75页

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