0.18μm抗辐射标准单元库的设计与实现
摘要 | 第8-9页 |
ABSTRACT | 第9页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 课题背景及意义 | 第10-11页 |
1.2 国内外现状 | 第11-14页 |
1.2.1 标准单元库发展现状 | 第11-13页 |
1.2.2 辐射环境的研究 | 第13-14页 |
1.3 研究的主要内容 | 第14-15页 |
1.4 论文结构安排 | 第15-16页 |
第二章 标准单元库的基本理论 | 第16-31页 |
2.1 标准单元库的建库流程 | 第16-17页 |
2.2 电路图库的设计 | 第17-22页 |
2.2.1 技术文件的介绍 | 第17页 |
2.2.2 电路图设计尺寸的确定 | 第17-22页 |
2.3 版图库设计 | 第22-30页 |
2.3.1 版图的设计规则 | 第22-24页 |
2.3.2 版图的一般画法 | 第24-28页 |
2.3.3 版图的验证 | 第28-30页 |
2.4 小结 | 第30-31页 |
第三章 抗辐射单元的设计 | 第31-41页 |
3.1 辐射的类型 | 第31-33页 |
3.1.1 总剂量效应的基本原理 | 第31-32页 |
3.1.2 单粒子效应的基本原理 | 第32-33页 |
3.2 抗单粒子翻转的单元设计 | 第33-40页 |
3.2.1 DICE单元的电路图 | 第34-35页 |
3.2.2 VOTER电路图和版图 | 第35-38页 |
3.2.3 三互锁存单元结构的DFF电路图和版图 | 第38-40页 |
3.3 小结 | 第40-41页 |
第四章 单元库的表征和提取 | 第41-55页 |
4.1 时序库的表征 | 第41-48页 |
4.1.1 时序参数的介绍 | 第41-42页 |
4.1.2 一般单元表征的过程 | 第42-47页 |
4.1.3 部分特殊单元表征的过程 | 第47-48页 |
4.2 物理库的提取 | 第48-54页 |
4.2.1 LEF文件的介绍 | 第49-52页 |
4.2.2 抽象的步骤 | 第52-54页 |
4.3 小结 | 第54-55页 |
第五章 单元库验证 | 第55-69页 |
5.1 AGC的工作原理 | 第55-56页 |
5.2 综合流程 | 第56-57页 |
5.3 布局布线流程 | 第57-67页 |
5.4 门级仿真验证 | 第67-68页 |
5.5 小结 | 第68-69页 |
第六章 总结与展望 | 第69-70页 |
6.1 总结 | 第69页 |
6.2 未解决的问题和以后工作展望 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
附件 | 第75页 |