| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-35页 |
| 1.1 引言 | 第9-13页 |
| 1.2 二维结构MoS_2的简介以及研究发展现状 | 第13-18页 |
| 1.2.1 二维结构MoS_2的简介 | 第13-15页 |
| 1.2.2 二维结构MoS_2的研究发展现状 | 第15-18页 |
| 1.3 二维结构MoS_2的制备方法 | 第18-21页 |
| 1.4 有机光敏场效应管 | 第21-28页 |
| 1.4.1 有机光敏场效应管的基本结构 | 第21-22页 |
| 1.4.2 有机光敏场效应管的相关材料 | 第22-26页 |
| 1.4.3 有机光敏场效应管的工作原理 | 第26-27页 |
| 1.4.4 有机光敏场效应管的主要参数 | 第27-28页 |
| 1.5 有机光敏二极管的基本结构 | 第28-32页 |
| 1.5.1 有机光敏二极管的基本结构 | 第28-29页 |
| 1.5.2 有机光敏二极管的相关材料 | 第29-30页 |
| 1.5.3 有机光敏二极管的工作原理 | 第30-32页 |
| 1.5.4 有机光敏二极管的主要参数 | 第32页 |
| 1.6 本文的选题和研究意义及主要工作 | 第32-33页 |
| 1.7 本章小结 | 第33-35页 |
| 第二章 二维结构二硫化钼/并五苯有机光敏场效应管 | 第35-51页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 有机光敏场效应管（Ph OFET）制备 | 第36-40页 |
| 2.2.1 单层MoS_2薄膜制备 | 第36-37页 |
| 2.2.2 基于单层MoS2的光敏场效应管制备 | 第37-38页 |
| 2.2.3 基于MoS_2/并五苯异质结的Ph OFET器件制备 | 第38-40页 |
| 2.3 有机光敏场效应管器件性能表征 | 第40-49页 |
| 2.3.1 器件薄膜性能表征 | 第40-43页 |
| 2.3.2 基于单层MoS_2的场效应管性能表征 | 第43-44页 |
| 2.3.3 基于MoS_2/并五苯异质结的Ph OFET器件性能表征 | 第44-49页 |
| 2.4 有机光敏场效应管性能原理分析 | 第49-50页 |
| 2.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 二维结构二硫化钼/并五苯异质结有机光敏二极管 | 第51-64页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 有机光敏二极管(OPD)制备 | 第52-55页 |
| 3.2.1 基于MoS_2/并五苯异质结铝电极的OPD器件制备 | 第52-55页 |
| 3.2.2 基于MoS_2/并五苯异质结金电极的OPD器件制备 | 第55页 |
| 3.3 有机光敏二极管性能表征 | 第55-62页 |
| 3.3.1 基于MoS_2/并五苯异质结铝电极的OPD器件的性能表征 | 第56-59页 |
| 3.3.2 基于MoS_2/并五苯异质结金电极的OPD器件的性能表征 | 第59-62页 |
| 3.4 有机光敏二极管性能结果分析 | 第62-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 4.1 结论 | 第64-65页 |
| 4.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 附录A 缩写词列表 | 第72-75页 |
| 附录B 物理量符号列表 | 第75-77页 |
| 在学期间研究成果 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
