| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| 第二章 有机光敏场效应管原理与接触电阻 | 第9-26页 |
| 2.1 有机场效应管的工作原理 | 第9页 |
| 2.2 有机光敏场效应管的表征 | 第9-10页 |
| 2.3 有机场效应管的结构 | 第10-11页 |
| 2.4 接触电阻 | 第11-20页 |
| 2.4.1 底栅顶接触器件接触电阻的形成原因 | 第12-14页 |
| 2.4.2 底栅底接触器件接触电阻的形成原因 | 第14-16页 |
| 2.4.3 目前常用的获取有机场效应管接触电阻的方法 | 第16-20页 |
| 2.5 沟道长度 | 第20-24页 |
| 2.5.1 沟道长度的变化对有机场效应管性能参数的影响 | 第20-21页 |
| 2.5.2 获取有效沟道长度的方法 | 第21-24页 |
| 2.6 半导体材料和电极 | 第24-26页 |
| 第三章 底栅顶接触结构PHOFET源/漏接触长度对器件性能的影响 | 第26-48页 |
| 3.1 前言 | 第26-27页 |
| 3.2 不同源/漏接触长度和不同沟道长度PHOFET的制备 | 第27-29页 |
| 3.3 底栅顶接触电荷注入和接触电阻分析 | 第29-35页 |
| 3.4 源/漏接触长度对器件性能和光敏特性的影响 | 第35-43页 |
| 3.5 底栅顶接触不同沟道长度对有机场效应管性能的影响 | 第43-47页 |
| 3.6 结论 | 第47-48页 |
| 第四章 底接触源漏电极厚度和半导体膜厚度对PHOFET接触电阻和光敏特性影响 | 第48-68页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 不同源/漏电极厚度和不同沟道长度PHOFET的制备 | 第48-49页 |
| 4.3 底栅底接触电荷注入分析 | 第49-51页 |
| 4.4 不同源/漏电极厚度器件的接触电阻及光敏特性 | 第51-65页 |
| 4.4.1 器件源/漏电极厚度为25 nm时接触电阻及光敏特性 | 第52-55页 |
| 4.4.2 器件源/漏电极厚度为100nm时接触电阻及光敏特性 | 第55-59页 |
| 4.4.3 器件源/漏电极厚度为150 nm时接触电阻及光敏特性 | 第59-62页 |
| 4.4.4 实验数据拟合 | 第62-65页 |
| 4.5 不同并五苯厚度PHOFET的研究 | 第65-66页 |
| 4.6 总结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 结论 | 第68页 |
| 5.2 展望 | 第68-70页 |
| 附录A 英文单词缩写 | 第70-71页 |
| 附录B 物理量符号列表 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 在校期间研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
