| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-30页 |
| 1.1 等离子体概述 | 第15-17页 |
| 1.2 等离子体的分类 | 第17-18页 |
| 1.3 常压低温等离子体 | 第18-21页 |
| 1.4 等离子体材料沉积与表面改性 | 第21-24页 |
| 1.5 本文研究内容及意义 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-30页 |
| 第二章 APPJ简介 | 第30-38页 |
| 2.1 常压等离子体射流喷枪(Atmospheric Pressure Plasma Jet,APPJ) | 第30-31页 |
| 2.2 APPJ光谱特性与物质分析 | 第31-33页 |
| 2.3 APPJ电弧激发与温度分析 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 基于APPJ的ZnO半导体材料的制备及其传感特性研究 | 第38-52页 |
| 3.1 ZnO半导体材料及湿度传感器概述 | 第38-39页 |
| 3.2 基于常压等离子体的半导体材料的制备 | 第39页 |
| 3.3 基于APPJ的ZnO半导体材料的制备工艺 | 第39-40页 |
| 3.3.1 实验试剂及仪器 | 第39-40页 |
| 3.3.2 衬底清洗及溶液配制 | 第40页 |
| 3.4 基于APPJ的ZnO薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 3.4.1 基于APPJ的等离子体沉积系统 | 第40-41页 |
| 3.4.2 ZnO半导体材料的制备 | 第41页 |
| 3.5 ZnO半导体材料的表征分析 | 第41-44页 |
| 3.5.1 结晶度分析 | 第42页 |
| 3.5.2 SEM表征 | 第42-43页 |
| 3.5.3 光学性质分析 | 第43-44页 |
| 3.6 常压射流等离子体喷枪在传感器制作中的应用 | 第44-48页 |
| 3.6.1 湿度测试系统 | 第44-45页 |
| 3.6.2 灵敏度测试 | 第45-47页 |
| 3.6.3 迟滞分析 | 第47页 |
| 3.6.4 响应时间 | 第47-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第四章 基于PI介电层的SDBD柔性等离子体发生器 | 第52-73页 |
| 4.1 基于PI的SDBD(Surface Dielectric Barrier Discharge) | 第52-55页 |
| 4.2 SDBD柔性等离子体发生器的制作 | 第55-61页 |
| 4.2.1 基于干膜光刻工艺的电极制备 | 第55-57页 |
| 4.2.2 SDBD等离子体发生器的电极设计 | 第57-58页 |
| 4.2.3 SDBD等离子体发生器的放电表征 | 第58-61页 |
| 4.3 基于PI介电层的SDBD等离子体发生器的功率表征 | 第61-65页 |
| 4.3.1 Lissajous图形与等离子体耗散功率 | 第61-62页 |
| 4.3.2 SDBD等离子体发生器的电学表征 | 第62-63页 |
| 4.3.3 SDBD电等离子体发生器的耗散功率 | 第63-65页 |
| 4.4 基于PI介电层的SDBD柔性等离子体发生器的光谱分析与温度测试 | 第65-68页 |
| 4.4.1 等离子体电子温度 | 第65-66页 |
| 4.4.2 SDBD等离子体发射光谱与电子温度 | 第66-67页 |
| 4.4.3 SDBD等离子体温度特性 | 第67-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第五章 基于SDBD等离子体的表面改性与等离子体印章的实现 | 第73-89页 |
| 5.1 基于SDBD等离子体的等离子体印章技术 | 第73-75页 |
| 5.2 基于SDBD等离子体发生器的PI表面改性 | 第75-81页 |
| 5.2.1 实验材料与设备 | 第75页 |
| 5.2.2 实验步骤 | 第75-76页 |
| 5.2.3 PI表面接触角与表面能 | 第76-81页 |
| 5.3 基于SDBD的等离子体印章 | 第81-85页 |
| 5.3.1 SDBD等离子体尺度研究 | 第81-83页 |
| 5.3.2 SDBD等离子体图形化 | 第83-84页 |
| 5.3.3 基于SDBD的等离子体印章 | 第84-85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第六章 基于SDBD等离子体的原位沉积系统及其在柔性传感器中的应用 | 第89-98页 |
| 6.1 SDBD原位沉积系统 | 第89-90页 |
| 6.2 基于SDBD等离子体增强的ZnO半导体材料的原位沉积 | 第90-92页 |
| 6.2.1 ZnO半导体材料制备 | 第90-91页 |
| 6.2.2 基于柔性PI介电层的SDBD等离子体原位沉积ZnO的表征 | 第91-92页 |
| 6.3 基于SDBD等离子体的柔性湿度传感器 | 第92-96页 |
| 6.3.1 基于PI衬底的柔性湿度传感器的灵敏度和迟滞 | 第93-94页 |
| 6.3.2 基于PI衬底的柔性湿度传感器的响应时间 | 第94-96页 |
| 6.4 本章小结 | 第96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第七章 总结与展望 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 硕士期间科研成果 | 第101页 |
