| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第13-22页 |
| ·ZnO 的掺杂及应用 | 第22-23页 |
| ·本文的研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 本文使用的表征手段 | 第25-35页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第25-26页 |
| ·霍尔效应测试（Hall Effect） | 第26页 |
| ·四探针测试（Four-probe Measurement） | 第26-27页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第29-30页 |
| ·拉曼谱（Raman） | 第30-31页 |
| ·傅里叶红外吸收谱（FTIR） | 第31页 |
| ·俄歇电子能谱（AES） | 第31-32页 |
| ·光致发光（PL） | 第32页 |
| ·开尔文探针显微镜（KPM） | 第32-33页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第33-34页 |
| ·紫外光电子能谱（UPS） | 第34-35页 |
| 第三章 ZnO:Al 透明导电氧化物薄膜的研究 | 第35-65页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·透明导电半导体薄膜的实现理论 | 第36-37页 |
| ·AZO 薄膜的制备和表征 | 第37-63页 |
| ·靶材的制备 | 第37-39页 |
| ·薄膜的制备 | 第39-41页 |
| ·薄膜的表征 | 第41-63页 |
| ·溅射气氛 | 第41-45页 |
| ·衬底温度 | 第45-50页 |
| ·沉积时间 | 第50-54页 |
| ·AZO 薄膜制备工艺的进一步优化 | 第54-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第四章 Al0.3Zn0.7O 日盲紫外光电阴极薄膜的制备与研究 | 第65-102页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·光电探测的原理和应用 | 第66-71页 |
| ·Al0.3Zn0.7O 薄膜日盲紫外探测的实现理论与基础 | 第71-74页 |
| ·Al0.3Zn0.7O 薄膜的制备和表征 | 第74-101页 |
| ·Al0.3Zn0.7O 薄膜的光学特性分析 | 第74-78页 |
| ·Al0.3Zn0.7O 薄膜的结构特性分析 | 第78-87页 |
| ·Al0.3Zn0.7O 薄膜的表面特征分析 | 第87-95页 |
| ·Al0.3Zn0.7O 薄膜的形貌和缺陷分析 | 第95-101页 |
| ·Al0.3Zn0.7O 薄膜特性小结 | 第101-102页 |
| 第五章 Al0.3Zn0.7O 基日盲紫外探测器的制备与研究 | 第102-116页 |
| ·Al0.3Zn0.7O 基日盲紫外探测器的制备 | 第102-104页 |
| ·阴极薄膜的激活 | 第104-105页 |
| ·日盲紫外探测器的性能研究 | 第105-114页 |
| ·小结 | 第114-116页 |
| 第六章 结论与展望 | 第116-119页 |
| ·结论 | 第116-117页 |
| ·创新点 | 第117页 |
| ·前景展望 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-131页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第131-133页 |
