| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| ·研究背景与研究意义 | 第12-14页 |
| ·高耐压 AlGaN/GaN HFET 发展动态与研究现状 | 第14-19页 |
| ·目前存在的主要问题 | 第19-20页 |
| ·论文主要内容及安排 | 第20-23页 |
| ·论文主要内容 | 第20-21页 |
| ·论文结构安排 | 第21-23页 |
| 第二章 带有场板的 AlGaN/GaN HFET 沟道电场分布模型 | 第23-43页 |
| ·AlGaN/GaN HFET 场板工程 | 第23-25页 |
| ·带有栅场板的 AlGaN/GaN HFET 沟道电场分布模型 | 第25-35页 |
| ·带有栅场板的 AlGaN/GaN HFET 沟道电场分析 | 第25-28页 |
| ·带有栅场板的 AlGaN/GaN HFET 沟道电场模型 | 第28-35页 |
| ·器件耐压分析 | 第35-38页 |
| ·电场模型验证 | 第38页 |
| ·器件参数优化 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HFET 温度特性与高场应力下击穿特性 | 第43-55页 |
| ·变温条件下器件性能退化 | 第43-48页 |
| ·变温条件下 2DEG 性能退化 | 第43-46页 |
| ·变温条件下 AlGaN/GaN HFET 性能退化 | 第46-48页 |
| ·变温高场应力下钝化 AlGaN/GaN HFET 击穿特性 | 第48-54页 |
| ·表面陷阱对 AlGaN/GaN HFET 击穿电压的影响 | 第48-49页 |
| ·器件结构与实验方案 | 第49-50页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 带有背电极的 RESURFAlGaN/GaN HFET 结构 | 第55-63页 |
| ·AlGaN/GaN HFET 中的 RESURF 技术 | 第55-56页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第56-58页 |
| ·器件耐压分析与参数优化 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 AlGaN/GaN VHFET 击穿特性研究与参数优化 | 第63-79页 |
| ·AlGaN/GaN VHFET 应用优势 | 第63-66页 |
| ·器件结构与耐压分析 | 第66-71页 |
| ·器件参数优化 | 第71-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 AlGaN/GaN VHFET 耐压新结构研究 | 第79-102页 |
| ·带有极化掺杂电流阻挡层的 AlGaN/GaN VHFET | 第79-88页 |
| ·器件结构与极化掺杂模型 | 第80-84页 |
| ·器件耐压分析 | 第84-88页 |
| ·带有 p 型埋层的 AlGaN/GaN VHFET | 第88-95页 |
| ·器件结构与耐压分析 | 第88-91页 |
| ·器件参数优化 | 第91-95页 |
| ·超结 AlGaN/GaN VHFET | 第95-101页 |
| ·器件结构与耐压分析 | 第95-98页 |
| ·器件参数优化 | 第98-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 第七章 结论 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第115-116页 |
