| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-10页 |
| ·研究内容及论文结构 | 第10-11页 |
| 第二章 单轴应变 Si 基本物理特性 | 第11-19页 |
| ·单轴应变 | 第11-12页 |
| ·应变 Si 导带结构分析 | 第12-13页 |
| ·应变 Si 电子迁移率增强机制 | 第13-14页 |
| ·应力引入技术 | 第14-19页 |
| 第三章 单轴应变 Si NMOS 器件结构 | 第19-25页 |
| ·单轴应变 Si NMOS 基本器件结构和工作原理 | 第19-20页 |
| ·单轴应变 Si NMOS 工艺实现 | 第20-22页 |
| ·单轴应变 Si NMOS 电学特性 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第四章 热载流子致单轴应变 Si NMOS 界面特性退化研究 | 第25-39页 |
| ·应变 Si NMOS 热载流子效应 | 第25-29页 |
| ·热载流子效应与碰撞电离率 | 第29-30页 |
| ·热载流子效应与单轴应变 Si MOS 界面特性 | 第30-34页 |
| ·热载流子效应与阈值电压 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 热载流子致单轴应变 Si NMOS 直流特性退化研究 | 第39-55页 |
| ·热载流子效应与衬底电流 | 第39-43页 |
| ·热载流子效应与漏极电流 | 第43-49页 |
| ·热载流子效应与跨导 | 第49-52页 |
| ·热载流子效应与亚阈值摆幅 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 热载流子致单轴应变 Si NMOS 交流特性退化研究 | 第55-67页 |
| ·热载流子效应与 S 参数 | 第55-57页 |
| ·热载流子效应于噪声系数 | 第57-60页 |
| ·热载流子效应与漏源电导 | 第60-62页 |
| ·热载流子效应与截止频率 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 第七章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 研究生期间的研究成果 | 第77-78页 |
