SiC高功率MOSFET实验研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-15页
·SiC 材料的基本特性	第7-8页
·SiC 工艺发展现状	第8-10页
·SiC 功率 MOSFET 的研究现状	第10-13页
·本文主要研究工作	第13-15页
第二章 SiC VDMOSFET 性能仿真	第15-25页
·SiC VDMOSFET 结构设计	第15-16页
·SiC VDMOSFET 离子注入仿真	第16-20页
·界面态对 SiC VDMOSFET 性能的影响	第20-24页
·本章小结	第24-25页
第三章 SiC 氧化工艺设计	第25-45页
·SiC 热氧化机理	第25-26页
·MOS 氧化层陷阱电荷	第26-28页
·C-V 测试方法	第28-33页
·高频电容法	第28-32页
·高频-低频电容法	第32-33页
·氧化实验及结果分析	第33-42页
·氧化实验	第33-34页
·高频 C-V 测试结果分析	第34-37页
·退火前后氧化层特性差异	第37-41页
·MOS 结构 I-V 特性测试	第41-42页
·栅氧实验设计	第42页
·本章小结	第42-45页
第四章 SiC VDMOSFET 实验流程设计	第45-57页
·SiC VDMOSFET 实验流程设计	第45-50页
·测试图形版图设计	第50-55页
·Hall 图形设计	第50-53页
·TLM 图形设计	第53-54页
·C-V 测试图形设计	第54-55页
·本章小结	第55-57页
第五章 研究总结	第57-59页
致谢	第59-61页
参考文献	第61-65页
攻读硕士期间参加的科研项目和科研成果	第65-66页