| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-30页 |
| ·GaN 基材料与器件的研究背景及意义 | 第12-13页 |
| ·GaN 材料的生长 | 第13-19页 |
| ·GaN 紫外探测器的发展 | 第19-26页 |
| ·制约 GaN 紫外探测器发展的因素及解决方法 | 第26-28页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第28-30页 |
| 第2章 MOCVD 生长技术及表征测试方法 | 第30-44页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·MOCVD 生长方法 | 第30-35页 |
| ·GaN 材料表征方法 | 第35-41页 |
| ·GaN 探测器性能测试 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第3章 AlN/Sapphire 模板上 GaN 材料的 MOCVD 生长 | 第44-64页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·蓝宝石衬底上 GaN 的 MOCVD 生长 | 第45-48页 |
| ·AlN/Sapphire 模板上 GaN 的 MOCVD 生长 | 第48-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 第4章 SiO2纳米粒子改善 GaN 紫外探测器性能研究 | 第64-88页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·位错对 GaN 探测器性能的影响 | 第64-74页 |
| ·SiO2纳米粒子对 GaN 紫外探测器性能的影响 | 第74-85页 |
| ·本章小结 | 第85-88页 |
| 第5章 非对称势垒 GaN 紫外探测器性能研究 | 第88-106页 |
| ·引言 | 第88-89页 |
| ·GaN 探测器的肖特基接触 | 第89-91页 |
| ·非对称势垒 GaN-MSM 结构探测器的研制 | 第91-93页 |
| ·非对称势垒对 GaN-MSM 结构探测器的性能影响 | 第93-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 第6章 结论与展望 | 第106-110页 |
| ·结论 | 第106-108页 |
| ·展望 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-118页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第118-120页 |
| 指导教师及作者简介 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122页 |
