| 中文摘要 | 第1-12页 |
| Abstract | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-59页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·有机电致发光空穴传输材料研究进展 | 第15-31页 |
| ·有机发光二极管 | 第15-17页 |
| ·有机电致发光的基本原理 | 第17-18页 |
| ·有机电致发光器件的结构 | 第18-19页 |
| ·有机电致发光空穴传输材料的研究进展 | 第19-30页 |
| ·有机电致发光空穴传输材料的研究展望 | 第30-31页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管材料研究进展 | 第31-48页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的结构 | 第31-34页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的工作原理 | 第34-36页 |
| ·有机半导体材料 | 第36-42页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的制备技术 | 第42-44页 |
| ·有机场效应晶体管的应用 | 第44-47页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的发展展望 | 第47-48页 |
| ·本论文的主要内容 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-59页 |
| 第二章 吲哚[3,2-b]咔唑类衍生物的设计、合成和表征 | 第59-81页 |
| ·前言 | 第59页 |
| ·实验部分 | 第59-76页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第59-60页 |
| ·化合物合成路线 | 第60-65页 |
| ·中间体和目标化合物的合成 | 第65-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-78页 |
| ·合成的讨论 | 第76-77页 |
| ·结构的表征 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第三章 吲哚[3,2-b]咔唑类衍生物的晶体结构 | 第81-116页 |
| ·前言 | 第81页 |
| ·5,11-二正辛基吲哚[3,2-b]咔唑(1)的单晶结构 | 第81-84页 |
| ·5,11-二正辛基-6-醛基吲哚[3,2-b]咔唑(2)的单晶结构 | 第84-87页 |
| ·2,8-二溴-5,11-二正辛基吲哚[3,2-b]咔唑(5)的单晶结构 | 第87-90页 |
| ·2,8-二溴-5,11-二正辛基-6-醛基吲哚[3,2-b]咔唑(6)的单晶结构 | 第90-94页 |
| ·2,8-二(N,N-二甲基)苯基-5,11-二正辛基吲哚[3,2-b]咔唑(11)的单晶结构 | 第94-99页 |
| ·6,12-二(N,N-二甲基)苯基-5,11-二正辛基吲哚[3,2-b]咔唑(14)的单晶结构 | 第99-105页 |
| ·2,8-二噻吩基-5,11-二正辛基吲哚[3,2-b]咔唑(15)的单晶结构 | 第105-109页 |
| ·2,8-二(4-三氟甲基)苯基-5,11-二正辛基吲哚[3,2-b]咔唑(16)的单晶结构 | 第109-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第四章 吲哚[3,2-b]咔唑类衍生物的物理化学性质 | 第116-134页 |
| ·前言 | 第116页 |
| ·实验仪器 | 第116页 |
| ·热分析 | 第116-119页 |
| ·电化学性质 | 第119-122页 |
| ·紫外吸收和荧光性质 | 第122-132页 |
| ·本章小结 | 第132页 |
| 参考文献 | 第132-134页 |
| 第五章 吲哚[3,2-b]咔唑类衍生物的半导体性能 | 第134-160页 |
| ·前言 | 第134页 |
| ·有机电致发光空穴传输性能 | 第134-148页 |
| ·TOF测试 | 第134-139页 |
| ·电致发光器件的制作 | 第139-140页 |
| ·电致发光器件的性能 | 第140-147页 |
| ·结果与讨论 | 第147-148页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管性能 | 第148-158页 |
| ·薄膜场效应晶体管的制作 | 第149-151页 |
| ·薄膜场效应晶体管的性能 | 第151-157页 |
| ·结果与讨论 | 第157-158页 |
| ·本章小结 | 第158页 |
| 参考文献 | 第158-160页 |
| 第六章 总结 | 第160-162页 |
| 致谢 | 第162-163页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第163-181页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第181页 |
