功率裸芯片的测试与老化筛选技术

摘要	第1-5页
Abstract	第5-11页
第一章 绪论	第11-17页
·本课题的研究背景与实际意义	第11-13页
·国内外KGD技术研究情况	第13-15页
·国外KGD技术的发展情况	第13-14页
·国内该领域研究现状	第14-15页
·本课题的来源、主要研究内容及章节安排	第15-16页
·本章小结	第16-17页
第二章 功率裸芯片临时封装系统的可靠性验证分析	第17-49页
·临时封装夹具系统介绍	第17-18页
·微损伤电接触的可靠性分析与验证	第18-35页
·影响接触电阻的因素	第19-20页
·接触电阻的测试方法	第20-21页
·实验衬底介绍	第21-25页
·实验内容	第25页
·实验结果及分析	第25-35页
·金属凸点与芯片电极硬接触条件下耐受电流能力分析	第35-43页
·不同衬底类型的耐受电流能力分析	第36-41页
·铜质盖板夹具耐电流能力的改善	第41-42页
·耐受电流能力分析总结	第42-43页
·装有裸芯片的夹具系统抗冲击能力分析	第43-46页
·本章总结	第46-49页
第三章 功率裸芯片的质量与可靠性保障技术	第49-63页
·引言	第49-50页
·半导体器件及芯片的主要失效机理	第50-51页
·适合功率裸芯片的筛选方法	第51-54页
·通过结温控制实现老化筛选功率裸芯片	第54-59页
·电功率老化筛选功率裸芯片难点	第54-55页
·通过温敏参数间接测量功率管的结温	第55-56页
·线性近似法测结温存在的问题及其改进方法	第56-58页
·连续脉冲满功率老化筛选	第58-59页
·峰值结温功率老化筛选	第59页
·功率裸芯片的可靠性筛选试验	第59-62页
·筛选试验项目的确定	第59-60页
·筛选应力条件和时间的确定	第60-61页
·功率裸芯片筛选程序与筛选条件	第61-62页
·失效判据的确定	第62页
·本章小结	第62-63页
第四章 功率裸芯片的可靠性筛选试验及结果分析	第63-75页
·试验说明	第63-64页
·试验结果与分析	第64-74页
·试验前电参数测试	第64-66页
·功率老化前各项试验	第66页
·峰值结温功率老化试验	第66-72页
·老化试验后电参数测试	第72-73页
·探针测试对试验结果的检验	第73页
·试验结束后裸芯片镜检及衬底形貌检查	第73-74页
·本章小结	第74-75页
结论	第75-77页
攻读学位期间发表的论文	第77-81页
致谢	第81-83页
参考文献	第83-85页