| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-55页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·微流控芯片的材料 | 第11-13页 |
| ·硅 | 第11-12页 |
| ·石英和玻璃 | 第12页 |
| ·高分子聚合物 | 第12页 |
| ·光敏聚合物 | 第12-13页 |
| ·玻璃微流控芯片的加工 | 第13-17页 |
| ·光刻和蚀刻技术 | 第13-14页 |
| ·玻璃微流控芯片的封合 | 第14-17页 |
| ·键合 | 第14页 |
| ·粘接 | 第14-17页 |
| ·高聚物微流控芯片的加工 | 第17-30页 |
| ·高聚物芯片的结构成型 | 第17页 |
| ·高聚物芯片的封合 | 第17-18页 |
| ·热键合(Thermal bonding) | 第17页 |
| ·层压法(Lamination) | 第17-18页 |
| ·胶水粘合(Gluing) | 第18页 |
| ·等离子体活化(Plasma treating) | 第18页 |
| ·界面化学反应(Interface chemical reaction) | 第18页 |
| ·微阳模的制备 | 第18-30页 |
| ·金属阳模 | 第19-28页 |
| ·硅阳模 | 第28-29页 |
| ·SU-8阳模 | 第29-30页 |
| ·SU-8加工技术及在微流控芯片中的应用 | 第30-43页 |
| ·SU-8胶的主要特性 | 第30-31页 |
| ·SU-8胶光刻工艺 | 第31-32页 |
| ·SU-8厚胶光刻 | 第32-33页 |
| ·影响SU-8微结构侧壁垂直度的因素 | 第33-34页 |
| ·SU-8多层微结构 | 第34-37页 |
| ·SU-8微流控芯片的封合 | 第37-41页 |
| ·牺牲层技术(filling proess) | 第37-38页 |
| ·掩模保护法(Mask proess) | 第38页 |
| ·热键合(Thermal bonding) | 第38-40页 |
| ·层压法(Lamination proess) | 第40页 |
| ·控制曝光剂量(Partial exposure) | 第40-41页 |
| ·SU-8微流控芯片的应用 | 第41-43页 |
| ·微器件的集成 | 第41-42页 |
| ·微混合/微反应器 | 第42-43页 |
| ·其他应用 | 第43页 |
| ·参考文献 | 第43-55页 |
| 第二章 牺牲层材料用于玻璃芯片的低温粘接 | 第55-72页 |
| ·引言 | 第55-57页 |
| ·实验部分 | 第57-59页 |
| ·仪器装置 | 第57页 |
| ·实验材料与试剂 | 第57页 |
| ·芯片的制作 | 第57-58页 |
| ·电极的制作 | 第58-59页 |
| ·芯片用于氨基酸分离 | 第59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-69页 |
| ·牺牲层材料的选择 | 第59-62页 |
| ·粘接剂的选择 | 第62-65页 |
| ·选择性曝光 | 第65-67页 |
| ·性能特点 | 第67-68页 |
| ·氨基酸分离 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69页 |
| ·参考文献 | 第69-72页 |
| 第三章 高聚物微流控芯片镍阳模的制作 | 第72-89页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·实验部分 | 第73-77页 |
| ·仪器装置 | 第73-74页 |
| ·实验材料与试剂 | 第74-75页 |
| ·镍阳模的制作工艺 | 第75-76页 |
| ·电铸工艺 | 第76-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-86页 |
| ·基片的选择 | 第77页 |
| ·SU-8光刻工艺 | 第77-81页 |
| ·甩胶和前烘 | 第77-79页 |
| ·曝光和中烘 | 第79-80页 |
| ·显影 | 第80-81页 |
| ·后烘 | 第81页 |
| ·电解刻蚀 | 第81-83页 |
| ·微电铸 | 第83-85页 |
| ·PMMA微流控芯片的制作及应用 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86页 |
| ·参考文献 | 第86-89页 |
| 第四章 高深宽比金属微结构的制作 | 第89-102页 |
| ·引言 | 第89-90页 |
| ·实验部分 | 第90-93页 |
| ·仪器装置 | 第90-91页 |
| ·实验材料与试剂 | 第91页 |
| ·高深宽比金属微结构的制备 | 第91-92页 |
| ·SU-8厚胶光刻 | 第92-93页 |
| ·电铸工艺 | 第93页 |
| ·结果与讨论 | 第93-98页 |
| ·ITO玻璃上镍掩模的制备 | 第93-94页 |
| ·无基底反射曝光 | 第94-96页 |
| ·高深宽比SU-8微结构的制作 | 第96-97页 |
| ·高深宽比金属微结构的电铸 | 第97-98页 |
| ·本章小结 | 第98页 |
| ·参考文献 | 第98-102页 |
| 第五章 用相变化牺牲层材料—硫制作三维SU-8微流控芯片 | 第102-115页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·实验部分 | 第103-105页 |
| ·仪器装置 | 第103-104页 |
| ·实验材料与试剂 | 第104页 |
| ·三维SU-8微流控芯片的制作 | 第104-105页 |
| ·结果与讨论 | 第105-112页 |
| ·牺牲层材料的选择 | 第105-107页 |
| ·微通道的制备 | 第107-110页 |
| ·三维微流控芯片 | 第110-112页 |
| ·本章小结 | 第112页 |
| ·参考文献 | 第112-115页 |
| 附录 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
