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EUV光刻污染控制技术研究及实验平台设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第10-21页
    1.1 研究背景第10-12页
    1.2 课题来源及意义第12页
    1.3 EUV光刻污染物来源及危害第12-14页
    1.4 国内外发展及研究现状第14-19页
    1.5 本文主要工作和内容第19-21页
2 实验平台需求分析与初步方案设计第21-29页
    2.1 污染控制需求分析第21页
    2.2 实验平台需求指标描述第21-25页
    2.3 实验平台初步原理方案设计第25-28页
    2.4 本章小结第28-29页
3 实验平台详细原理方案设计第29-37页
    3.1 主腔室方案设计第29-31页
    3.2 硅片台腔室方案设计第31-32页
    3.3 硅片传输腔室方案设计第32-33页
    3.4 载片腔室方案设计第33-35页
    3.5 大气模块方案设计第35页
    3.6 本章小结第35-37页
4 EUV光刻实验平台本体结构设计第37-50页
    4.1 材料与密封方式选择第37-39页
    4.2 实验平台本体结构概述第39-40页
    4.3 曝光及污染控制模块结构设计第40-45页
    4.4 硅片传输模块结构设计第45-48页
    4.5 大气模块结构设计第48-49页
    4.6 本章小结第49-50页
5 动态气体锁理论研究与仿真分析第50-66页
    5.1 流场类型确定与污染抑制率的定义第50-53页
    5.2 蒙特卡洛直接模拟算法与DS2V软件第53-54页
    5.3 仿真建模第54-55页
    5.4 无清洁气体引入下污染气体分布第55-56页
    5.5 清洁气体类型对抑制率的影响第56-59页
    5.6 清洁气体流量对污染抑制率的影响第59-61页
    5.7 清洁气体注入位置对污染抑制率的影响第61-63页
    5.8 动态气体锁结构优化第63-64页
    5.9 本章小结第64-66页
6 总结与展望第66-68页
    6.1 全文总结第66-67页
    6.2 研究展望第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-71页

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