| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10-14页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性质 | 第14-20页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第15-17页 |
| 1.2.3 光电特性 | 第17-20页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电子器件 | 第20-26页 |
| 1.3.1 红外探测器 | 第20-22页 |
| 1.3.2 太阳能电池 | 第22-23页 |
| 1.3.3 发光二极管 | 第23-25页 |
| 1.3.4 半导体激光器 | 第25-26页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 材料生长设备及测试方法 | 第28-38页 |
| 2.1 分子束外延 | 第28-33页 |
| 2.1.1 引言 | 第28页 |
| 2.1.2 分子束外延设备 | 第28-31页 |
| 2.1.3 分子束外延的生长原理 | 第31-33页 |
| 2.2 测试方法简介 | 第33-36页 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射仪 | 第33-34页 |
| 2.2.2 扫描电镜 | 第34-35页 |
| 2.2.3 光致发光测试系统 | 第35-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 InGaAs/AlGaAs量子阱材料的生长研究 | 第38-47页 |
| 3.1 引言 | 第38-41页 |
| 3.2 实验过程 | 第41-42页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第42-46页 |
| 3.3.1 高分辨XRD表征 | 第42-44页 |
| 3.3.2 表面形貌分析 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响 | 第47-59页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 实验过程 | 第48-49页 |
| 4.2.1 材料生长 | 第48页 |
| 4.2.2 器件制备 | 第48-49页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第49-57页 |
| 4.3.1 光致荧光 | 第49-50页 |
| 4.3.2 暗电流 | 第50-53页 |
| 4.3.3 黑体响应 | 第53-55页 |
| 4.3.4 光谱响应 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |